[发明专利]一种浅沟槽隔离结构及其制作方法在审
申请号: | 201811087794.4 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN110911345A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 陶大伟 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沟槽 隔离 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供衬底,形成隔离沟槽于所述衬底中,以在所述衬底中界定出多个有源区;
形成第一填充介质于所述隔离沟槽的侧壁;
形成牺牲层于所述第一填充介质的侧壁;
形成第二填充介质于所述隔离沟槽中剩余的空间;
去除所述牺牲层,得到位于所述第一填充介质与所述第二填充介质之间的孔隙;
形成第三填充介质于所述孔隙顶部,以将所述孔隙封口。
2.一种浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供衬底,形成第一隔离沟槽于所述衬底中;
形成第一填充介质于所述第一隔离沟槽中;
在所述衬底上定义字线区域,并形成第二隔离沟槽于所述衬底中,所述第二隔离沟槽相交于所述第一隔离沟槽,且避开所述字线区域,所述第一隔离沟槽与所述第二隔离沟槽共同在所述衬底中界定出多个有源区;
形成第二填充介质于所述第二隔离沟槽的侧壁;
形成牺牲层于所述第二填充介质的侧壁;
形成第三填充介质于所述第二隔离沟槽中剩余的空间;
去除所述牺牲层,得到位于所述第二填充介质与所述第三填充介质之间的孔隙;
形成第四填充介质于所述孔隙顶部,以将所述孔隙封口。
3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于:所述第二隔离沟槽平行于所述字线区域。
4.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于:所述孔隙的宽度范围是30埃-200埃,高度范围是500埃-2800埃,所述孔隙内包含空气。
5.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,形成第一隔离沟槽于所述衬底中包括以下步骤:
自下而上依次形成衬垫层与硬掩膜层于所述衬底上;
形成光刻胶层于所述硬掩膜层上,并图形化所述光刻胶层;
以图形化的所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层、所述衬垫层及所述衬底,得到所述第一隔离沟槽。
6.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,形成第二隔离沟槽于所述衬底中包括以下步骤:
形成光刻胶层于所述衬底上方,并图形化所述光刻胶层;
以图形化的所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一填充介质,得到所述第二隔离沟槽。
7.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,形成所述第二填充介质于所述第二隔离沟槽的侧壁包括以下步骤:
沉积所述第二填充介质,所述第二填充介质被覆于所述衬底上方、所述第二隔离沟槽的侧壁及所述第二隔离沟槽的底面;
采用各向异性刻蚀去除所述第二隔离沟槽外及所述第二隔离沟槽底面的所述第二填充介质。
8.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制作方法,其特征在于,形成所述牺牲层于所述第二填充介质的侧壁包括以下步骤:
沉积所述牺牲层,所述牺牲层被覆于所述衬底上方、所述第二填充介质的侧壁及所述第二隔离沟槽的底面;
采用各向异性刻蚀去除所述第二隔离沟槽外及所述第二隔离沟槽底面的所述牺牲层。
9.一种浅沟槽隔离结构,其特征在于,包括:
衬底;
隔离沟槽,形成于所述衬底中,以在所述衬底中界定出多个有源区
第一填充介质,形成于所述隔离沟槽的侧壁;
第二填充介质,形成于所述隔离沟槽中部;
孔隙,位于所述第一填充介质与所述第二填充介质之间;
第三填充介质,形成于所述孔隙顶部,以将所述孔隙封口。
10.根据权利要求9所述的浅沟槽隔离结构,其特征在于:所述孔隙的宽度范围是30埃-200埃,高度范围是500埃-2800埃,所述孔隙内包含空气。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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