[发明专利]超临界处理腔室和用于处理基板的设备在审
申请号: | 201811088273.0 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109545707A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 朴相真;赵炳权;赵庸真;高镛璇;吉娟真;李光旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主体框架 缓冲腔室 超临界处理 第一表面 突起 凹室 连接器 处理基板 内部容器 腔室空间 可拆卸 腔室 处理空间 处理腔室 封闭腔室 竖直向上 联接 封闭 | ||
1.一种用于执行超临界处理的超临界处理腔室,包括:
主体框架,所述主体框架具有突起和凹室,所述突起从所述主体框架的第一表面竖直向上突出,所述凹室由所述主体框架的所述突起和所述第一表面限定;
内部容器,所述内部容器可拆卸地联接到所述主体框架,使得所述内部容器被构造成插入所述凹室中,以覆盖所述突起,所述内部容器在所述凹室中提供腔室空间;
罩框架;
内部罩,所述内部罩可拆卸地联接到所述罩框架,使得所述内部罩被构造成与所述内部容器的第一表面进行接触,以封闭所述腔室空间;以及
连接器,所述连接器被构造成联接所述主体框架和所述罩框架,使所述内部容器和所述内部罩在从所述主体框架的所述第一表面竖直向上的方向上顺序地布置在所述主体框架和所述罩框架之间,使得封闭的所述腔室空间转变成在其中执行所述超临界处理的处理空间。
2.根据权利要求1所述的超临界处理腔室,其中,所述内部容器包括主体接触件、尺寸控制器和容器底部,所述主体接触件在所述主体框架的所述突起上,所述尺寸控制器在所述主体框架的所述凹室的侧壁上并被构造成控制所述腔室空间的尺寸,所述容器底部在所述主体框架的所述凹室的底部上。
3.根据权利要求2所述的超临界处理腔室,其中,所述尺寸控制器的厚度沿着所述凹室的深度和周缘中的至少一个是不均匀的。
4.根据权利要求2所述的超临界处理腔室,其中,所述主体接触件、所述尺寸控制器和所述容器底部被构造成整体地设置为一体,使得所述内部容器包括沿着所述突起和所述凹室的表面轮廓覆盖所述主体框架的单个容器。
5.根据权利要求2所述的超临界处理腔室,其中,所述主体接触件和所述尺寸控制器被构造成彼此分离,并且所述主体接触件被构造成与所述尺寸控制器分开地单独布置在所述主体框架上。
6.根据权利要求5所述的超临界处理腔室,其中,所述尺寸控制器和所述容器底部被构造成作为嵌在所述凹室中的单个容器被提供,并且所述主体接触件被构造成作为单独的主体接触部件与所述尺寸控制器分开地单独布置在所述突起上。
7.根据权利要求2所述的超临界处理腔室,其中,所述内部罩包括罩接触件和顶板,所述罩接触件与所述内部容器的所述主体接触件和所述尺寸控制器表面接触,所述顶板面对所述容器底部并且封闭所述腔室空间使其与周围环境隔绝。
8.根据权利要求7所述的超临界处理腔室,其中,所述罩接触件和所述顶板被构造成一体设置成单个板,所述单个板在与所述主体框架的所述第一表面垂直的方向上具有均匀厚度并且覆盖所述罩框架的表面。
9.根据权利要求7所述的超临界处理腔室,其中,所述罩接触件被构造成作为单独的罩接触部件、与所述顶板分开地单独布置在所述主体接触件和所述尺寸控制器上。
10.根据权利要求7所述的超临界处理腔室,其中,所述顶板的厚度小于所述罩接触件的厚度,使得所述内部罩具有由所述罩接触件限定的顶板凹室,并且所述处理空间从所述腔室空间扩展到所述顶板凹室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造