[发明专利]半导体扩散设备在审
申请号: | 201811088288.7 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN110911305A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/22 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 扩散 设备 | ||
1.一种半导体扩散设备,其特征在于,包括:
扩散炉体,用于容纳承载晶圆的晶舟,所述扩散炉体的炉管一端封闭,炉管另一端具有装卸通口;
炉门,设置于所述扩散炉体具有所述装卸通口的炉管一端,且与所述扩散炉体活动连接,用于扩散制程中封闭所述装卸通口;及,
空气阻气门,与清洁气体管路的一端相连接,所述清洁气体管路的另一端连接至一清洁气体源,所述空气阻气门与所述装卸通口相邻,以避免外来气体进入所述扩散炉体内,当所述炉门打开,并使所述晶舟从所述扩散炉体内经过所述装卸通口下降的过程中,所述空气阻气门将从所述清洁气体管路喷出的清洁气体分散喷射到通过所述装卸通口的所述晶圆表面,以保护所述晶圆不被污染。
2.根据权利要求1所述的半导体扩散设备,其特征在于:所述空气阻气门的喷头上分布有多个非等向喷气的细孔,所述细孔的直径小于1cm。
3.根据权利要求2所述的半导体扩散设备,其特征在于:所述空气阻气门具有呈圆弧形的喷射面,多个所述细孔在所述喷射面上均匀间隔分布。
4.根据权利要求2所述的半导体扩散设备,其特征在于:所述空气阻气门具有凹面形的喷射面,多个所述细孔在所述喷射面上均匀间隔分布。
5.根据权利要求2所述的半导体扩散设备,其特征在于:所述细孔的数量大于1000个,所述细孔的直径介于0.1~0.5mm之间。
6.根据权利要求1所述的半导体扩散设备,其特征在于:所述空气阻气门与所述清洁气体管路活动连接,所述清洁气体管路的气体流量介于5L/min~15L/min之间。
7.根据权利要求1所述的半导体扩散设备,其特征在于:所述空气阻气门的喷头的材质包括石英。
8.根据权利要求1所述的半导体扩散设备,其特征在于:所述空气阻气门的数量为多个。
9.根据权利要求1所述的半导体扩散设备,其特征在于:所述清洁气体管路包括多路。
10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体扩散设备,其特征在于:所述空气阻气门位于所述扩散炉体内靠近所述装卸通口的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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