[发明专利]N沟道半导体元器件的制造方法及N沟道半导体元器件

权利要求书

1.一种N沟道半导体元器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成P阱；

在所述P阱上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅氧化层和设置在所述栅氧化层上的多晶硅栅；

在所述P阱表面掺杂中性杂质，所述中性杂质为不带极性的杂质；

在所述P阱表面以第一剂量掺杂第一N型杂质，以在所述P阱内形成第一N型源区和第一N型漏区；

在所述栅极结构周围形成侧墙；

在所述P阱表面以第二剂量掺杂第二N型杂质，以在所述P阱内形成第二N型源区和第二N型漏区；所述第二剂量大于所述第一剂量。

2.根据权利要求1所述的N沟道半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述中性杂质包括惰性元素、碳及硅中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的N沟道半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述惰性元素为氩。

4.根据权利要求3所述的N沟道半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述氩的注入能量为20×(1±50％)Kev，所述氩的注入剂量为1×10¹⁴×(1±50％)离子数/cm²。

5.根据权利要求1所述的N沟道半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述在所述P阱表面掺杂中性杂质的步骤，包括：

在所述P阱表面注入中性杂质。

6.根据权利要求5所述的N沟道半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述在所述P阱表面注入中性杂质的步骤是采用倾斜注入的方式进行注入。

7.根据权利要求6所述的N沟道半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述倾斜注入偏离垂直方向的角度范围为0°至30°。

8.一种N沟道半导体元器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

P阱，设于所述半导体衬底上；

栅极结构，设于所述P阱上，所述栅极结构包括栅氧化层和设于所述栅氧化层上的多晶硅栅；

侧墙，设于所述栅极结构周围，所述侧墙包括第一侧墙和第二侧墙；

第一N型源区，设于所述P阱内且被所述第一侧墙覆盖的区域，所述第一N型源区掺杂有中性杂质，所述中性杂质为不带极性的杂质；

第二N型源区，设于所述P阱内且未被所述第一侧墙覆盖的区域，与所述第一N型源区相邻，所述第二N型源区掺杂有所述中性杂质；

第一N型漏区，设于所述P阱内且被所述第二侧墙覆盖的区域，所述第一N型漏区掺杂有所述中性杂质；

第二N型漏区，设于所述P阱内未被所述第二侧墙覆盖的区域，与所述第一N型漏区相邻，所述第二N型漏区掺杂有所述中性杂质；

所述第二N型源区和所述第二N型漏区的N型杂质的掺杂浓度都高于所述第一N型源区和所述第一N型漏区的N型杂质的掺杂浓度。

9.根据权利要求1所述的N沟道半导体元器件，其特征在于，所述中性杂质包括氩、碳及硅中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的N沟道半导体元器件，其特征在于，所述N沟道半导体元器件的工作电压为5V或3.3V，所述N沟道半导体元器件包括N沟道金属半导体氧化物场效应管。