[发明专利]用于基于相变材料的RF开关的RF/DC去耦系统有效
申请号: | 201811089327.5 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN109599487B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | B·赖格;亚历山大·利昂;D·圣-帕特赖斯 | 申请(专利权)人: | 原子能和替代能源委员会 |
主分类号: | H10N70/00 | 分类号: | H10N70/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 江海;姚开丽 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 基于 相变 材料 rf 开关 dc 系统 | ||
1.一种RF开关,适于改变至少一个第一导电元件(11,110)和至少一个第二导电元件(12,120)之间的连接,所述RF开关适于交替地在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间路由RF信号以及停止在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间路由RF信号,所述RF开关设置有:
基于相变材料(20)的第一相变材料区域(15),所述第一相变材料区域布置在所述第一导电元件(11)和所述第二导电元件(12)之间;
用于所述第一相变材料区域(15)的状态控制装置,所述状态控制装置被配置成通过加热来改变所述第一相变材料区域的所述相变材料的晶态或非晶态,所述状态控制装置设置有控制电极(13a,13b,14a,14b,12,120),所述控制电极布置在所述第一相变材料区域(15)的任一侧上并设置成对所述第一相变材料区域(15)施加状态控制电信号,
所述RF开关还设置有至少一个第一去耦开关(INT1),所述至少一个第一去耦开关被配置成交替地:当所述第一去耦开关导通时,连接第一控制电极(13a)和所述第一相变材料区域(15);并当所述第一去耦开关截止时,断开所述第一控制电极(13a)和所述第一相变材料区域(15)的连接,所述第一去耦开关(INT1)包括布置在所述第一控制电极(13a)和第二控制电极(13b)之间的第二相变材料区域(17),所述第二控制电极抵靠所述第一相变材料区域(15)布置。
2.根据权利要求1所述的RF开关,其中,所述RF开关设置有被配置成将所述第一去耦开关(INT1)交替地置于导通状态和截止状态的加热装置,所述加热装置设置有电极(13a,13b,16a,16b,18a,18b),所述电极布置在所述第二相变材料区域(17)的任一侧上并设置成施加能够改变所述第二相变材料区域(17)的相变材料的晶态或非晶态的启动电信号。
3.根据权利要求2所述的RF开关,其中,能够对所述第一去耦开关(INT1)施加所述启动电信号的所述电极(16a,16b,18a,18b)是不同于所述第一控制电极(13a)和所述第二控制电极(13b)的加热电极。
4.根据权利要求2所述的RF开关,其中,所述启动电信号通过所述第一控制电极(13a)来施加。
5.根据权利要求4所述的RF开关,其中,所述第一导电元件是能够将所述RF信号从RF电路的第一点传送到所述RF电路的第二点的导线(110),当所述第一相变材料区域(15)的相变材料进入晶态时,所述第一相变材料区域(15)形成分流器,所述第二导电元件(120)形成地,所述RF信号被传送至所述地。
6.根据权利要求2所述的RF开关,其中,所述启动电信号由所述第一控制电极(13a)和不同于所述第一控制电极(13a)和所述第二控制电极(13b)的加热电极(16a)来传送。
7.根据权利要求1所述的RF开关,还包括能够交替地使另一控制电极(14a)和所述第一相变材料区域(15)连接和断开连接的第二去耦开关(INT2),所述第二去耦开关(INT2)包括布置在所述另一控制电极(14a)和所述第一相变材料区域(15)之间的另一相变材料区域(19)。
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