[发明专利]存储器的编程方法、装置、存储设备和存储介质

说明书

本发明实施例公开了一种存储器的编程方法、装置、存储设备和存储介质。所述方法包括：对选中字线中的待编程存储单元进行第一次编程操作，第一次编程操作对应的编程完成检验电压为第一检验电压；将所有待编程存储单元中阈值小于第二检验电压的存储单元作为再次编程单元；对再次编程单元进行第二次编程操作，第二次编程操作对应的编程完成检验电压为第二检验电压，其中，第二检验电压大于第一检验电压。本发明实施例的技术方案实现了在无需额外增设硬件电路的情况下，可以简便、有效地减小编程之后存储单元的阈值的分布宽度，进而可以降低读操作时施加在非选中字线的电压，以此减弱readdisturb现象，还可以提高存储器的可靠性。

技术领域

本发明实施例涉及存储设备技术领域，尤其涉及一种存储器的编程方法、装置、存储设备和存储介质。

背景技术

由于在存储器的生产过程中存在工艺波动的问题，使得存储单元的本征阈值电压分布呈高斯分布状态，且不同存储单元的编程速度不同，由此导致存储器中的一个page或一个block对应的不同的存储单元在编程后或擦除后的阈值电压不同，且阈值的分布宽度较宽。较宽的阈值电压分布会限制读取操作时施加在非选中字线的电压的降低，进而会导致严重的read disturb现象。另外，较宽的阈值电压分布还会使得在擦除操作和读取操作时，存储单元的衬底与栅极的电压差较大，降低了存储器的可靠性。

现有技术中减小阈值分布宽度的方法，一般是设置一个小于编程成功检验电压的预检电压，当被编程的存储单元的导通阈值大于等于预检电压时，就会在向page的字线施加编程电压脉冲信号的同时向该被编程的存储单元对应的位线施加一个电压值固定的电压脉冲信号，以减小该被编程存储单元的控制栅与沟道之间的电压差，从而降低该被编程的存储单元的编程速度，进而减小该page对应的存储单元在编程之后的阈值电压分布宽度。

发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术存在如下缺陷：对存储单元被编程之后的阈值电压分布宽度的缩小效果较差，且由于需要额外增加用于施加上述电压值固定的电压脉冲信号的电路，增加了存储器的硬件结构的复杂性，同时也增加了存储器的制作成本。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种存储器的编程方法、装置、存储设备和存储介质，以减小被编程之后存储单元的阈值的分布宽度。

在第一方面，本发明实施例提供了一种存储器的编程方法，包括：

对选中字线中的待编程存储单元进行第一次编程操作，所述第一次编程操作对应的编程完成检验电压为第一检验电压；

将所有所述待编程存储单元中阈值小于第二检验电压的存储单元作为再次编程单元；

对所述再次编程单元进行第二次编程操作，所述第二次编程操作对应的编程完成检验电压为所述第二检验电压，其中，所述第二检验电压大于所述第一检验电压。

在上述方法中，可选的是，所述对所述再次编程单元进行第二次编程操作，具体包括：

在向所有所述待编程存储单元中阈值大于等于第二检验电压的存储单元所对应的位线施加位线截止电压的条件下，对所述再次编程单元进行第二次编程操作。

在上述方法中，可选的是，所述对选中字线进行第一次编程操作，所述第一次编程操作对应的编程完成检验电压为第一检验电压，包括：

向选中字线施加字线编程脉冲电压，并在所述字线编程脉冲电压中的每一个脉冲结束时，检测所述选中字线中的待编程存储单元的导通阈值是否大于等于位线加压阈值且小于第一检验电压，其中，所述位线加压阈值小于所述第一检验电压；