[发明专利]掩膜版和掩膜版的清洗方法有效

专利信息
申请号: 201811090035.3 申请日: 2018-09-18
公开(公告)号: CN109023241B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 宁可涛 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 掩膜版 清洗 方法
【权利要求书】:

1.一种掩膜版,用于对显示装置进行物理气相沉积,其特征在于,包括:基材层、熔射层,以及拆卸件;

所述熔射层,用于吸附颗粒,所述颗粒在使用所述掩膜版对所述显示装置进行物理气相沉积时产生;

所述拆卸件,用于在使用所述掩膜版对所述显示装置进行物理气相沉积时,将所述熔射层固定在所述基材层上,所述拆卸件,用于在清除所述颗粒时,将所述熔射层从所述基材层上剥离,以及所述拆卸件,用于在剥离后的所述熔射层经过清洗后,再次将经过清洗的所述熔射层固定在所述基材层上;

其中,所述拆卸件包括粘贴层,或者所述拆卸件包括凹槽与所述凹槽匹配的凸起,或者所述拆卸件包括螺丝、以及与所述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔;

当所述拆卸件包括粘贴层时,所述粘贴层设置在所述基材层和所述熔射层之间,经过清洗的所述熔射层继续通过所述粘贴层固定在所述基材层上;

当所述拆卸件包括凹槽与所述凹槽匹配的凸起时,所述凹槽设置在所述基材层与所述熔射层相对的一侧,所述凸起设置在所述熔射层与所述基材层相对的一侧,或所述凹槽设置在所述熔射层与所述基材层相对的一侧,所述凸起设置在所述基材层与所述熔射层相对的一侧,经过清洗的所述熔射层继续通过将所述凸起插入所述凹槽中的方式固定在所述基材层上;

当所述拆卸件包括螺丝、以及与所述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔时,所述螺纹孔设置在所述基材层,所述螺孔槽设置在所述熔射层与所述基材层相对的一侧,或所述螺纹孔设置在所述熔射层,所述螺孔槽设置在所述基材层与所述熔射层相对的一侧,经过清洗的所述熔射层继续通过将所述螺丝从所述螺纹孔中穿过一插入螺孔槽中的方式固定在所述基材层上。

2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,当所述拆卸件包括粘贴层时,所述熔射层通过对所述粘贴层进行喷砂处理而形成。

3.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述粘贴层的厚度范围为50-90微米之间。

4.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于所述粘贴层的组成材料包括聚酰亚胺或亚克力中的一种或全部。

5.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,当所述拆卸件包括凹槽与所述凹槽匹配的凸起,或者当所述拆卸件包括螺丝,以及与所述螺丝匹配的螺孔槽、螺纹孔时,所述熔射层包括基底,以及设置在该基底上的吸附层;所述吸附层,通过对所述基底进行喷砂处理而形成。

6.一种掩膜版的清洗方法,用于对如权利要求1-5任意一项所述的掩膜版进行清洗,其特征在于,包括:

通过所述拆卸件,将所述熔射层与所述基材层剥离,得到剥离后的熔射层;

对所述剥离后的熔射层,进行清洗,得到清洗后的熔射层;

通过所述拆卸件,将所述清洗后的熔射层固定在所述基材层上。

7.根据权利要求6所示的掩膜版的清洗方法,其特征在于,所述对所述剥离后的熔射层,进行清洗,得到清洗后的熔射层步骤之后还包括:对所述清洗后的熔射层进行喷砂处理。

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