[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811090561.X | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109524390A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 下山浩哉;中村弘幸 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/49 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 半导体芯片 密封 功率晶体管 相交 低侧开关 高侧开关 控制电路 源极焊盘 电耦合 金属板 中密封 芯片 | ||
本公开涉及半导体装置。增强了半导体装置的性能。半导体装置是通过在密封部分中密封各自包括用于高侧开关的功率晶体管的第一、第二和第三半导体芯片，各自包括用于低侧开关的功率晶体管的第四、第五和第六半导体芯片，以及包括控制这些芯片的控制电路的半导体芯片而获得的半导体装置。第四、第五和第六半导体芯片的源极焊盘经由金属板电耦合到多个引线LD9和多个引线LD10。在平面中看时，引线LD9与密封部分的边MRd4相交，并且引线LD10与密封部分的边MRd2相交。
相关申请的交叉引用
通过引用将2017年9月20日提交的日本专利申请No.2017-180379的公开(包括说明书、附图和摘要)整体地并入本文。
技术领域
本发明涉及半导体装置，并且有利地适用于例如通过密封各自包括用于高侧开关的功率晶体管的三个半导体芯片、各自包括用于低侧开关的功率晶体管的三个半导体芯片以及控制这些芯片的半导体芯片而获得的半导体装置。
背景技术
广泛使用作为电源电路的示例的反相器电路具有这样的构造，其中用于高侧开关的功率MOSFET和用于低侧开关的功率MOSFET串联耦合在被供应电源电压的端子和被供应接地电压的端子之间。通过用控制电路控制用于高侧开关的功率MOSFET的栅极电压和用于低侧开关的功率MOSFET的栅极电压，可以利用反相器电路转换电源电压。
日本未审查专利申请公开No.2007-012857(专利文献1)描述了涉及用于驱动通过用密封部分44密封包括pMISFET的三个第一半导体芯片30和包括nMISFET的三个第二半导体芯片31而获得的三相电机的HSOP46的技术。
日本未审查专利申请公开No.2013-149730(专利文献2)描述了功率半导体模块100B，其包括六个半导体芯片120c至120h作为IGBT芯片，并且六个半导体芯片140c至140h作为二极管芯片，如图9至图12中所示。
[相关技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本未审查专利申请公开No.2007-012857
[专利文献2]日本未审查专利申请公开No.2013-149730
发明内容
期望增强通过密封各自包括用于高侧开关的功率晶体管的三个半导体芯片、各自包括用于低侧开关的功率晶体管的三个半导体芯片以及控制这些芯片的半导体芯片而获得的半导体装置的性能。或者，期望减小半导体装置的尺寸。可替换地，期望增强半导体装置的性能并进一步减小半导体装置的尺寸。
根据本说明书和附图中的描述，其它问题和新颖特征将是明显的。
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