[发明专利]固态储存装置的数据处理方法

说明书

本发明公开一种固态储存装置的数据处理方法，包括下列步骤：于将写入数据写入该些区块中的一数据区块的一数据区时，当该数据区被写满时，对该数据区块进行一区块关闭动作，将对应该数据区块的一关闭信息储存于该数据区块中的一信息区，并认定该数据区块为一使用区块；于接收到一修剪指令时，判断该使用区块是否根据该修剪指令而变更为一非使用区块；以及当该使用区块变更为该非使用区块时，将该关闭信息储存至该些区块中的一修剪区块。

技术领域

本发明涉及一种固态储存装置的数据处理方法，且特别涉及一种固态储存装置对应于修剪指令的数据处理的方法，以及其对应的逻辑至实体对应表(Logical-to-PhysicalTable)重建方法。

背景技术

众所周知，固态储存装置(Solid State Drive，简称SSD)使用非挥发性记忆体(non-volatile memory)为主要储存元件。也就是说，当数据写入非挥发性记忆体后，一旦系统电源关闭，数据仍保存在固态储存装置中。

请参照图1，其所绘示为现有固态储存装置的示意图。固态储存装置10中包括一控制电路101与一非挥发性记忆体105。其中，非挥发性记忆体105可为一与非门快闪记忆体(NAND flash memory)，且非挥发性记忆体105中包括多个区块Block_0、Block_1等等。再者，该些区块的其中之一被规划用来储存部分建立表(Partial Build Table，简称PBT表)的用途。

在固态储存装置10外部，控制电路101利用一外部总线20与主机(host)12之间进行指令与数据的传递。其中，外部总线20可为USB总线、SATA总线、PCIe总线、M.2总线或者U.2总线等等。

在固态储存装置10内部，控制电路101连接至非挥发性记忆体105，用以根据主机12所发出的写入指令进一步将主机12的写入数据存入非挥发性记忆体105。或者，根据主机12所发出的读取指令由非挥发性记忆体105中取得读取数据，经由控制电路101传递至主机12。

控制电路101更包括一逻辑至实体对应表(Logical-to-Physical Table，简称L2P表)107，用来管理非挥发性记忆体105内的储存数据。

为了能够即时更新L2P表107，L2P表107一般储存于挥发性记忆体中。例如，L2P表107的内容可储存于控制电路101内的静态随机存取记忆体(SRAM)或动态随机存取记忆体(DRAM)。当然，L2P表107的内容也可储存于控制电路101外的动态随机存取记忆体(DRAM)。

由于L2P表107储存于挥发性记忆体中，当固态储存装置10未接受电源时，L2P表107的内容将被删除。因此，当固态储存装置10断电之前，控制电路101需要将L2P表107的内容储存于非挥发性记忆体105中的一特定位置。因此，于固态储存装置10断电之后，虽然控制电路101中L2P表107的内容消失，但是非挥发性记忆体105中仍旧保存L2P表107的内容。

当固态储存装置10再次开机时，控制电路101需要先将非挥发性记忆体105中特定位置所记录的内容载入控制电路101中。当L2P表107的内容成功载入控制电路101后，固态储存装置10即可以正常运作。

再者，为了防止固态储存装置10于运作的过程发生突然断电的状况导致L2P表107的内容消失，控制电路101会在固态储存装置10运作的过程中进行备份动作(backupaction)，用以将L2P表107的内容更新于非挥发性记忆体105的PBT表中。

再者，主机12可利用修剪指令(Trim command)来删除区块中的储存数据。一般来说，由于区块中储存数据的抹除需要花费较长的时间，因此当控制电路101接收到修剪指令时，并不会立刻对区块进行抹除动作(erase action)，即控制电路101不会立刻将区块中的数据抹除，而仅是在L2P表107中进行注销动作。后续，在适当的时机时，例如在待机时，控制电路101才会对区块进行抹除动作，使得区块中的储存数据完全被删除。