[发明专利]一种双能X射线测量地层密度测井装置和方法有效
申请号: | 201811091999.X | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109444972B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 于华伟;陈翔鸿;周悦 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(华东) |
主分类号: | G01V5/12 | 分类号: | G01V5/12 |
代理公司: | 青岛智地领创专利代理有限公司 37252 | 代理人: | 邵朋程 |
地址: | 266580 山东省青岛*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射线 测量 地层 密度 测井 装置 方法 | ||
1.一种双能X射线测量地层密度测井方法,采用一种双能X射线测量地层密度测井装置,包括筒状壳体,在筒状壳体的下部设置有X射线源控制系统,在筒状壳体的上部设置有探测器接收系统;
所述X射线源控制系统包括X射线可控源、电子加速管和监测探测器,X射线可控源与电子加速管连接,电子加速管通过源准直孔与地层相连通,所述监测探测器还通过监测准直孔连接源准直孔,在监测探测器的外侧包裹钨屏蔽材料;
所述探测器接收系统包括近探测器和远探测器,近探测器位于X射线可控源和远探测器之间,近探测器通过近准直孔与地层连通,远探测器通过远准直孔与地层连通,在近探测器和远探测器之间设置有钨屏蔽材料;在监测探测器、近探测器和远探测器上均配置有光电倍增管;
所述电子加速管的电压为250-400Kv;所述监测探测器、近探测器和远探测器均为NaI探测器;
其特征在于测井方法包括以下步骤:
步骤一、X射线可控源放出X射线,远探测器和近探测器采集经过地层的X射线,分别在远近X射线能谱选定高低能窗,计数率分别为Nfh、Nfl、Nnh、Nnl,其中Nfh表示为远探测器高能窗计数率、Nfl表示为远探测器低能窗计数率、Nnh表示为近探测器高能窗计数率、Nnl表示为近探测器低能窗计数率;利用MCNP数值模拟方法或刻度方法获得地层电子密度与高能窗、低能窗的计数响应公式为:
ρef=a+bln(Nfh)+cln(Nfl)
ρen=a1+b1ln(Nnh)+c1ln(Nnl)
式中ρef、ρen分别表示为远近探测器测量的地层电子密度;a、b、c、a1、b1、c1都是与双能X射线测量地层密度测井装置有关的固定参数;
步骤二、采用下式进行地层体积密度和地层电子密度之间的转化:
ρf=1.0704ρef+0.1881
ρn=1.0704ρen+0.1881
式中:ρf、ρn分别表示为远近探测器测量的地层体积密度;
步骤三、测井装置未紧贴井壁时,由于间隙填充物泥浆的影响,远近探测器测量的地层体积密度不等于真实地层体积密度,所以利用MCNP数值模拟或者实验校正的方法通过改变间隙尺寸和泥浆类型对双能X射线测量地层密度测井装置进行刻度,得到地层体积密度与远近探测器测量体积密度的函数关系:
ρb=ρf+Δρ
Δρ=k1(ρf-ρn)3+k2(ρf-ρn)2+k3(ρf-ρn)+k4
式中,Δρ是密度校正量;k1、k2、k3、k4是与双能X射线测量地层密度测井装置有关的固定参数;
利用上述关系式,可根据远近探测器测量的体积密度计算得出地层体积密度;
以上步骤中还包括利用监测探测器对X射线的监测步骤,并使X射线的产额稳定,其具体步骤如下:
(1)监测探测器采集经过监测准直孔的X射线,并得到X射线能谱,计算m能量段的计数率Nm,利用MCNP数值模拟方法和实验刻度获得监测探测器计数与电压的公式:
ΔNm=αΔU+β
式中:ΔU为改变电子加速管电压的量,α、β为与双能X射线测量地层密度测井装置有关的固定参数;
(2)根据ΔNm的值,改变电子加速管的电压,以确保X射线的产额稳定;然后,再使用标定法使X射线稳定,其中标定法的步骤如下:
a双能X射线测量地层密度测井装置放置在刻度井中,获得监测探测器采集的X射线能谱,并计算高低能窗的计数,其中高能窗的计数为Nmh,低能窗的计数为Nml;
b双能X射线测量地层密度测井装置在井下每个深度点测量时,获得监测探测器和远、近探测器采集的X射线能谱,并计算高低能窗的计数,其中监测探测器高能窗的计数为Nmh0,监测探测器低能窗的计数为Nml0;远探测器高能窗计数率表示为Nfh0、远探测器低能窗计数率表示为Nfl0、近探测器高能窗计数率表示为Nnh0、近探测器低能窗计数率表示为Nnl0,具体标定法公式如下:
式中Nfh、Nfl、Nnh、Nnl是在X射线稳定时探测器测量的计数;其中,Nfh表示为远探测器高能窗计数率、Nfl表示为远探测器低能窗计数率、Nnh表示为近探测器高能窗计数率、Nnl表示为近探测器低能窗计数率。
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