[发明专利]氮面极性氮化镓外延结构制造方法有效
| 申请号： | 201811092015.X | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109243978B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮面极性 氮化镓外延结构 氮化镓层 氮化镓 衬底 制造 氮化镓模板 分散现象 沟道层 生长势 再生长 垒层 射频 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮面极性氮化镓外延结构制造方法，其特征在于，包括：
提供一氮化镓模板，所述模板包括衬底和位于所述衬底上的第一氮面极性氮化镓层，所述第一氮面极性氮化镓层表面由于暴露过空气或者经过清洗而存在n型非故意掺杂杂质；
在所述第一氮面极性氮化镓层表面再生长氮化镓，形成第二氮面极性氮化镓层；
在所述第二氮面极性氮化镓层上依次生长势垒层和沟道层，所述n型非故意掺杂杂质扩散到第二氮面极性氮化镓层与势垒层之间的界面。
2.根据权利要求1所述的氮面极性氮化镓外延结构制造方法，其特征在于，所述第一氮面极性氮化镓层厚度为1μ m -5μ m 。
3.根据权利要求1所述的氮面极性氮化镓外延结构制造方法，其特征在于，所述第二氮面极性氮化镓层厚度为10nm-5μ m 。
4.根据权利要求1所述的氮面极性氮化镓外延结构制造方法，其特征在于，所述沟道层厚度为10nm-100nm。
5.根据权利要求1所述的氮面极性氮化镓外延结构制造方法，其特征在于，所述势垒层厚度为10nm-100nm。
6.根据权利要求1所述的氮面极性氮化镓外延结构制造方法，其特征在于，在形成第二氮面极性氮化镓层之前，清洗所述氮化镓模板并吹干。
7.根据权利要求1所述的氮面极性氮化镓外延结构制造方法，其特征在于，在所述沟道层上分别形成源极、漏极和栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
