[发明专利]发光二极管

说明书

提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：第一电极；第二电极，与第一电极叠置；以及发射层，位于第一电极与第二电极之间，其中，发射层包括第一材料和第二材料，第一材料包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、碱金属硫族化物或碱土金属硫族化物，第二材料包括镧系金属或镧系金属的化合物。

于2017年9月22日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0122742号并且名称为“Light Emitting Diode and Display Device Including the Same(发光二极管和包括该发光二极管的显示装置)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种发光二极管和一种包括该发光二极管的显示装置。

背景技术

发光二极管是从阳极供应的空穴和从阴极供应的电子在形成在阳极与阴极之间的发射层中结合以形成激子，并且在使激子稳定的同时发射光的元件。

发光二极管具有例如宽视角、快响应速度、薄厚度、低功耗的若干优点，使得发光二极管广泛应用于各种电气和电子装置，例如电视机、监视器、移动电话等。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，因此，它可以包含不构成本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。

发明内容

实施例涉及一种发光二极管和一种包括该发光二极管的显示装置。

实施例可以通过提供一种发光二极管而实现，所述发光二极管包括：第一电极；第二电极，与第一电极叠置；以及发射层，位于第一电极与第二电极之间，其中，发射层包括第一材料和第二材料，第一材料包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、碱金属硫族化物或碱土金属硫族化物，第二材料包括镧系金属或镧系金属的化合物。

第一材料可以包括LiI、NaI、KI、RbI、CsI、FrI、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂、BaI₂、RaI₂、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、FrCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、FrBr、MgCl₂、CaCl₂、BaCl₂、SrCl₂、RaCl₂、MgBr₂、CaBr₂、BaBr₂、SrBr₂、RaBr₂、MgClBr、CaClBr、BaClBr、SrClBr、RaClBr、MgClI、CaClI、BaClI、SrClI、RaClI、MgBrI、CaBrI、BaBrI、SrBrI、RaBrI、Li₂S、Na₂S、K₂S、Rb₂S、Cs₂S、Fr₂S、Li₂Se、Na₂Se、K₂Se、Rb₂Se、Cs₂Se、Fr₂Se、Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te、Fr₂Te、MgS、CaS、BaS、SrS、RaS、MgSe、CaSe、BaSe、SrSe、RaSe、MgTe、CaTe、BaTe、SrTe或RaTe。

第二材料可以包括镧系金属的化合物，镧系金属的化合物是可以包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu与O、S、Se、Te、F、Cl、Br或I的化合物。

发射层的第一材料与第二材料的含量比可以是5:5至9.9:0.1。