[发明专利]一种肖特基二极管及制作方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其包括PN结、背面层、势垒层、金属层和氧化层，所述氧化层和所述背面层分别设置在所述PN结的两端，所述氧化层具备有源区窗口，所述势垒层和所述金属层依次设置在所述有源区窗口，且所述PN结、所述势垒层和所述金属层依次相互连接，其特征在于，包括:

磷硅玻璃层、氮化硅层和聚酰亚胺层；

所述磷硅玻璃层设置在所述金属层与所述氧化层之间；

所述氮化硅层和所述聚酰亚胺层依次设置在所述金属层远离PN结的一侧。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于：

所述氧化层的有源区窗口包括第一台阶段和第二台阶段；

所述第一台阶段从所述氧化层的远端延伸至所述氧化层的内壁；

所述第二台阶段从所述氧化层的内壁延伸至有源区窗口的底部；

所述磷硅玻璃层设置在第一台阶段。

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于：

所述磷硅玻璃层均布在所述氧化层的远端和所述第一台阶段的内壁；

且所述磷硅玻璃层与所述氧化层的宽度相等。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于：

所述氮化硅层的一侧分别与所述金属层、所述磷硅玻璃层连接；

所述聚酰亚胺层仅与所述氮化硅层连接。

5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于：

所述氮化硅层具备相对的L形台阶和L形开口；

所述L形开口与所述金属层卡接，所述L形台阶与所述聚酰亚胺层连接。

6.根据权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于：

所述聚酰亚胺层包括L形凸起；

所述L形凸起与所述L形台阶嵌合。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的肖特基二极管，其特征在于：

所述聚酰亚胺层设置有第一开口，所述氮化硅层设置有第二开口；

所述第一开口与所述第二开口相互贯通；

所述第二开口延伸至所述金属层表面；

所述第一开口与所述第二开口共同形成焊接窗口。

8.根据权利要求7所述的肖特基二极管，其特征在于：

所述第一开口与所述第二开口内径相同。

9.根据权利要求8所述的肖特基二极管，其特征在于：

所述第一开口的内径小于所述有源区窗口。

10.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于：

所述肖特基二极管的制作方法包括至少如下步骤：

在半导体功率器件的硅衬底的表面生长氧化层，对所述氧化层进行光刻和刻蚀形成有源区窗口，通过粒子注入向硅衬底进行掺杂并通过高温推结形成PN结；

在所述氧化层及其所在平面上淀积磷硅玻璃形成磷硅玻璃层，并对磷硅玻璃层进行光刻和刻蚀形成接触孔；

在所述磷硅玻璃层上淀积势垒层，所述势垒层向下填入所述接触孔且与所述硅衬底的有源区接触，并通过真空合金形成势垒；

在所述势垒层上淀积金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀形成金属电极；

在所述金属层上顺次淀积氮化硅、聚酰亚胺，以形成包括氮化硅层、聚酰亚胺层的钝化层；并对所述钝化层进行光刻和刻蚀形成焊接窗口。