[发明专利]热电模块及包含该热电模块的热转换装置

权利要求书

1.一种热电模块，包括：

第一基板；

第一介电层，设置在所述第一基板上；

第一电极层，设置在所述第一介电层上；

至少一个单元胞，所述至少一个单元胞包括P型半导体元件和N型半导体元件，所述P型半导体元件和所述N型半导体元件电连接并设置在所述第一电极层上；

第二电极层，设置在所述P型半导体元件和所述N型半导体元件上；

第二介电层，设置在所述第二电极层上；以及

第二基板，设置在所述第二介电层上；

其中，所述第一基板和所述第二基板彼此面对，

其中，所述第一基板和所述第二基板为金属基板，

其中，所述第一基板和所述第二基板的体积彼此不同，

其中，所述第二基板的面积大于所述第一基板的面积，

其中，所述第一基板和所述第二基板的面积比在1:1.2～1:5的范围内。

2.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第二基板的体积大于所述第一基板的体积。

3.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一基板和所述第二基板的厚度彼此不同。

4.根据权利要求3所述的热电模块，其中，所述第二基板的所述厚度大于所述第一基板的所述厚度。

5.根据权利要求1所述的热电模块，其中，凹凸图案形成在所述第二基板的表面上。

6.根据权利要求5所述的热电模块，其中，多个所述凹凸图案设置在所述第二基板与所述第二介电层之间。

7.根据权利要求5所述的热电模块，其中，所述第二基板的所述表面被设置成朝向所述P型半导体元件和所述N型半导体元件。

8.根据权利要求5所述的热电模块，其中，所述第一介电层和所述第二介电层的热导率为5W/mK～10W/mK。

9.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一基板和所述第二基板至少包括Cu、Cu合金和Cu-Al合金中的一种。

10.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一介电层和所述第二介电层的厚度为0.01mm至0.1mm。

11.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一电极层和所述第二电极层至少包括Cu、Ag和Ni中的一种。

12.根据权利要求11所述的热电模块，其中，所述第一电极层和所述第二电极层的厚度为0.01mm至0.3mm。

13.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述P型半导体元件和所述N型半导体元件为将Bi或Te混合到BiTe基主要成分材料中的混合物。

14.根据权利要求13所述的热电模块，其中，所述P型半导体元件和所述N型半导体元件的高度在0.01mm至0.5mm的范围内。

15.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述P型半导体元件的体积不同于所述N型半导体元件的体积。

16.根据权利要求15所述的热电模块，其中，所述N型半导体元件的所述体积大于所述P型半导体元件的所述体积。

17.一种热电模块，包括：

第一基板；

第一介电层，设置在所述第一基板上；

第一电极层，设置在所述第一介电层上；

至少一个单元胞，所述至少一个单元胞包括P型半导体元件和N型半导体元件，所述P型半导体元件和所述N型半导体元件电连接并设置在所述第一电极层上；

第二电极层，设置在所述P型半导体元件和所述N型半导体元件上；

第二介电层，设置在所述第二电极层上；以及

第二基板，设置在所述第二介电层上；

其中，所述第一基板和所述第二基板彼此面对，

其中，所述第一基板和所述第二基板为金属基板，

其中，所述第一基板和所述第二基板的体积彼此不同，

其中，所述第一基板和所述第二基板的面积彼此不同，

其中，所述P型半导体元件和所述N型半导体元件中的至少一个包括：

两个以上的单元部件，所述两个以上的单元部件彼此堆叠，堆叠的所述两个以上的单元部件中的每一个单元部件包括基底材料和在所述基底材料上的半导体层；以及相邻的单元部件之间的导电层，

其中，堆叠的所述两个以上的单元部件中的每一个单元部件被设置成与所述第一基板和所述第二基板相平行。