[发明专利]深紫外LED的外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811093229.9 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109461799A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈谦;高扬;张爽;郑志华;陈长清;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫外LED 外延结构 超晶格 势垒 势阱 制备 多量子阱有源层 光输出功率 周期性排布 蓝宝石 依次叠加 衬底 | ||
1.一种深紫外LED的外延结构，其特征在于，包括由下至上依次叠加的蓝宝石衬底、AlN层、N型AlGaN层、多量子阱有源层、超晶格AlGaN势垒层、P型AlGaN电子阻挡层以及P型GaN层；
所述超晶格AlGaN势垒层由势垒Alx1Gay1N和势阱Alx2Gay2N周期性排布组成；所述势垒Alx1Gay1N的厚度为1nm～3nm，所述势阱Alx2Gay2N的厚度为0.1nm～2nm，所述超晶格AlGaN势垒层的总厚度为15nm～25nm；
其中，0<x1<0.7，0.3<y1<1；0<x2<x1，y1<y2<1。
2.如权利要求1所述的深紫外LED的外延结构，其特征在于，所述AlN层的厚度为1μm～3μm。
3.如权利要求1所述的深紫外LED的外延结构，其特征在于，所述N型AlGaN层的厚度为2μm～4μm；其中，Si掺杂浓度为5×1018cm-3～8×1018cm-3。
4.如权利要求1所述的深紫外LED的外延结构，其特征在于，所述多量子阱有源层由5～7个周期的Alm1Gan1N量子垒和Alm2Gan2N量子阱组成，所述Alm1Gan1N量子垒的厚度为7nm～12nm，所述Alm2Gan2N量子阱的厚度为2nm～4nm；其中，0<m1<0.7，0.3<n1<1；0<m2<m1，n1<n2<1；所述Alm1Gan1N量子垒的Si掺杂浓度为3×1018cm-3～5×1018cm-3，所述Alm2Gan2N量子阱不掺杂。
5.如权利要求1所述的深紫外LED的外延结构，其特征在于，所述P型AlGaN电子阻挡层的厚度为25nm～50nm，Mg掺杂浓度为5×1018cm-3～8×1018cm-3；所述P型GaN层的厚度为200nm～350nm，Mg掺杂浓度为1×1019cm-3～3×1019cm-3。
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