[发明专利]摄像装置及相机系统有效
申请号: | 201811093295.6 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109672833B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 庄保信;村上雅史 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H04N5/357 | 分类号: | H04N5/357;H04N5/225 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 相机 系统 | ||
1.一种摄像装置,具备:
像素,包括将光转换成电荷的光电转换部,输出与所述电荷的量对应的第1信号;
输出信号线,与所述像素电连接,传输所述第1信号;
负载晶体管,具有源极、漏极及栅极,所述源极及所述漏极中的一方与所述输出信号线电连接;以及
电压供给电路,与所述负载晶体管的所述栅极电连接,将第1电压及第2电压中的某一方选择性地供给至所述栅极,
所述电压供给电路包括:
电压产生部,产生第3电压;
第1放大电路,与所述电压产生部电连接,放大所述第3电压来产生第1电流;
第2放大电路,与所述电压产生部电连接,放大所述第3电压来产生第2电流;以及
电阻电路,与所述栅极电连接,通过所述第1电流产生所述第1电压,通过所述第2电流产生所述第2电压。
2.如权利要求1所述的摄像装置,
所述第1放大电路包括第1晶体管,该第1晶体管的栅极与所述电压产生部电连接;
所述第2放大电路包括第2晶体管,该第2晶体管的栅极与所述电压产生部电连接;
所述第1晶体管的沟道宽度与所述第1晶体管的沟道长度之比等于所述第2晶体管的沟道宽度与所述第2晶体管的沟道长度之比。
3.如权利要求1所述的摄像装置,
所述电压供给电路包括:
第3晶体管,与所述第1放大电路串联连接;以及
第4晶体管,与所述第2放大电路串联连接;
所述第3晶体管及所述第4晶体管中的某一方被选择性地导通。
4.一种摄像装置,具备:
像素,包括将光转换成电荷的光电转换部,输出与所述电荷的量对应的第1信号;
输出信号线,与所述像素电连接,传输所述第1信号;
负载晶体管,具有源极、漏极及栅极,所述源极及所述漏极中的一方与所述输出信号线电连接;以及
电压供给电路,与所述负载晶体管的所述栅极电连接,将第1电压及第2电压中的某一方选择性地供给至所述栅极,
所述电压供给电路具备:
电压产生部,产生第3电压;以及
放大电路,与所述电压产生部电连接,用于放大所述第3电压来产生第1电流;
所述电压供给电路包括:
第1电阻电路,通过所述第1电流产生所述第1电压;以及
第2电阻电路,通过所述第1电流产生所述第2电压。
5.如权利要求4所述的摄像装置,
所述第1电阻电路包括第1晶体管,该第1晶体管的源极以及漏极中的一方与所述负载晶体管的所述栅极连接;
所述第2电阻电路包括第2晶体管,该第2晶体管的源极以及漏极中的一方与所述负载晶体管的所述栅极连接;
所述第1晶体管的沟道宽度与所述第1晶体管的沟道长度之比等于所述第2晶体管的沟道宽度与所述第2晶体管的沟道长度之比。
6.如权利要求4所述的摄像装置,
所述电压供给电路包括:
第3晶体管,与所述第1电阻电路串联连接;以及
第4晶体管,与所述第2电阻电路串联连接;
所述第3晶体管以及所述第4晶体管中的某一方被选择性地导通。
7.一种摄像装置,具备:
像素,包括将光转换成电荷的光电转换部,输出与所述电荷的量对应的第1信号;
输出信号线,与所述像素电连接,传输所述第1信号;
负载晶体管,具有源极、漏极及栅极,所述源极及所述漏极中的一方与所述输出信号线电连接;以及
电压供给电路,与所述负载晶体管的所述栅极电连接,将第1电压及第2电压中的某一方选择性地供给至所述栅极,
所述电压供给电路包括:
电压产生部,产生第3电压;
第1放大电路,与所述电压产生部电连接,放大所述第3电压来产生第1电流;
第1电阻电路,通过所述第1电流产生所述第1电压;
第2放大电路,与所述电压产生部电连接,放大所述第3电压来产生第2电流;以及
第2电阻电路,通过所述第2电流产生所述第2电压。
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