[发明专利]基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法

说明书

本发明公开一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，括以下步骤：第1步，对陶瓷板表面将要用于电镀的相应部位进行金属化处理；第2步，通过电镀的方式制作独立线路及环形镀铜层；第3步，使环形镀铜层通过逐层电镀加厚增加到所需高度，形成金属围坝；第4步，通过切割方法将金属围坝的内侧面切除一部分，形成内侧面平整光滑的立体结构。本发明藉由将金属围坝粗糙的内表面切除，使内表面光滑，可以提高表面的光泽度，反光效果更好。除此之外，通过切割的方式将金属围坝的一部分去除，可以使围坝的壁厚变薄，从而增大围坝内部的空间，使得围坝内可以放置更大颗粒晶片，有利于大功率晶片的配置。

技术领域

本发明涉及LED、激光器件、功率器件等相关半导体器件领域技术，尤其是指一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法。

背景技术

对于目前要求气密性封装的光器件来说，通常需要在陶瓷基板上设置金属围坝，利用金属围坝所围构形成的空间可填充封装胶水，从而实现更好的气密性。在陶瓷基板的制备过程中，金属围坝可以是采用逐层电镀的方式垒高，形成一定的高度。然而由于采用电镀时，使得电路表面图形的线宽不能小于300微米，否则会因为图形线路过窄而无法电镀，因此制成LED陶瓷支架的成品后，其金属围坝的宽度均大于300微米，使得由金属围坝围成的内部反光杯空间小，只能容纳小的发光晶片，无法在小空间内实现大功率发光。此外，由于这种逐层电镀增高的方式，会在金属围坝侧壁面形成层痕，反光效果差。

发明内容

有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，一方面能获得更光滑的反光面，另一方面获得更大的反光杯内部空间。

为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：

一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，包括以下步骤：

第1步，对陶瓷板表面将要用于电镀的相应部位进行金属化处理；

第2步，通过电镀的方式制作独立线路及环形镀铜层；

第3步，使环形镀铜层通过逐层电镀加厚增加到所需高度，形成金属围坝；

第4步，通过切割方法将金属围坝的内侧面切除一部分，形成内侧面平整光滑的立体结构。

作为一种优选方案，第4步的切割方法是采用激光切割。

作为一种优选方案，第4步的切割方法是采用CNC切割。

作为一种优选方案，第4步中，当切割为台阶时，台阶顶部的宽度可以小于300微米。

作为一种优选方案，第4步切割后形成反光率达到90%以上的亮面。

作为一种优选方案，所述金属围坝为金属铜围坝，金属围坝的高度H为0.05mm-1.5mm。

作为一种优选方案，第1步中，金属化处理的方法是采用磁控溅射或真空蒸镀的方式对陶瓷板表面进行薄膜金属化。

作为一种优选方案，第2步中，所述独立线路及环形镀铜层是通过薄膜金属化、压干膜、曝光显影和电镀铜的方式制作在陶瓷板的上下表面，陶瓷板上下表面的独立线路之间设置有导通孔实现垂直电连接，导通孔采用金属填充，所述环形镀铜层对应分布在陶瓷底座上表面独立线路的外围并与独立线路间隔分开。

作为一种优选方案，第3步中，所述金属围坝是对第2步半成品的上表面再次进行压干膜、曝光显影、电镀，使上述环形镀铜层单独被电镀逐层加厚而形成的，金属围坝与陶瓷底座围构成为封装腔室并形成一体式连接结构。

作为一种优选方案，进一步包括有以下步骤：

第5步，通过退干膜和蚀刻工艺在陶瓷底座上获得彼此分隔的独立线路和镀铜围坝；

第6步，对陶瓷底座上的独立线路及镀铜围坝进行化金或化银表面处理。