[发明专利]具有绝缘分离体的半导体管芯接合焊盘

权利要求书

1.一种半导体管芯，包括：

在半导体衬底上方的最后金属化层；

在最后金属化层上方的接合焊盘；

保护层，其覆盖接合焊盘的部分并且具有限定接合焊盘的接触区的开口；

绝缘区域，其至少在与接合焊盘的接触区相对应的区中将接合焊盘与最后金属化层分离；以及

导电互连结构，其在接合焊盘的接触区的外部从接合焊盘延伸到上金属化层。

2.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中最后金属化层包括Cu、Cu合金、AlCu或Pt。

3.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中最后金属化层具有在0.5微米到5微米的范围中的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中导电互连结构包括在接合焊盘的接触区的外部将接合焊盘连接到上金属化层的多个导电通孔。

5.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中导电互连结构包括在接合焊盘的接触区的外部将接合焊盘连接到上金属化层的金属环。

6.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中导电互连结构包括在接合焊盘的接触区的外部将接合焊盘连接到上金属化层的多个金属条。

7.根据权利要求1所述的半导体管芯，还包括接合到接合焊盘的接触区的电导体。

8.根据权利要求7所述的半导体管芯，其中接合焊盘包括AlCu，并且其中电导体是与Pd掺杂的2N Au接合线。

9.根据权利要求7所述的半导体管芯，其中电导体包括用于抑制在电导体的构成金属原子和接合焊盘的构成金属原子之间的金属间相生长的添加物。

10.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中绝缘区域包括在最后金属化层上的氮化物层以及在氮化物层上的氧化物层。

11.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中绝缘区域包括AlNi或SiC。

12.一种制造半导体管芯的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上方形成最后金属化层；

在最后金属化层上方形成接合焊盘；

利用保护层覆盖接合焊盘的部分，所述保护层具有限定接合焊盘的接触区的开口；

形成用于至少在与接合焊盘的接触区相对应的区中将接合焊盘与最后金属化层分离的绝缘区域；以及

形成在接合焊盘的接触区的外部从接合焊盘延伸到上金属化层的导电互连结构。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成最后金属化层包括沉积Cu、Cu合金，AlCu或Pt。

14.根据权利要求12所述的方法，其中形成导电互连结构包括形成以下之一：

在接合焊盘的接触区的外部将接合焊盘连接到上金属化层的多个导电通孔；

在接合焊盘的接触区的外部将接合焊盘连接到上金属化层的金属环；以及

在接合焊盘的接触区的外部将接合焊盘连接到上金属化层的多个金属条。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括将电导体接合到接合焊盘的接触区。

16.根据权利要求15所述的方法，其中接合焊盘包括AlCu，并且其中电导体是与Pd掺杂的2N Au接合线。

17.根据权利要求15所述的方法，还包括将电导体与添加物掺杂，用于抑制在电导体的构成金属原子和接合焊盘的构成金属原子之间的金属间相生长。