[发明专利]一种基于有源巴伦技术的高输出功率高增益的功率放大器在审

专利信息
申请号: 201811094094.8 申请日: 2018-09-19
公开(公告)号: CN109361366A 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 佟玲;傅海鹏;马凯学 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H03F3/21 分类号: H03F3/21
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 杜文茹
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 功率放大器 巴伦 输出匹配电路 输入匹配电路 高输出功率 高增益 差分功放电路 巴伦电路 匹配电路 差分放大器 射频输出端 射频输入端 电路成本 输出功率 依次串联 输出端 输入端 功放 减小 电路 放大 芯片
【权利要求书】:

1.一种基于有源巴伦技术的高输出功率高增益的功率放大器,包括有输入匹配电路(1)、级间匹配电路(3)和输出匹配电路(5),其特征在于,还设置有有源巴伦电路(2)和差分功放电路(4),所述输入匹配电路(1)、有源巴伦电路(2)、级间匹配电路(3)、差分功放电路(4)和输出匹配电路(5)依次串联连接,其中,所述输入匹配电路(1)的输入端构成射频输入端(RFin),所述输出匹配电路(5)的输出端构成功率放大器的射频输出端(RFout)。

2.根据权利要求1所述的一种基于有源巴伦技术的高输出功率高增益的功率放大器,其特征在于,所述的有源巴伦电路(2)包括有第一双极型晶体管(Q1)和第二双极型晶体管(Q2),所述第一双极型晶体管(Q1)的基极和第二双极型晶体管(Q2)的集电极均连接所述输入匹配电路(1)的输出端,所述第一双极型晶体管(Q1)的基极处通过第一电阻(R1)连接外部偏置电压Vbias1,以及在第一电阻(R1)处通过第一电容(C1)接地作为旁路电容,所述第一双极型晶体管(Q1)的发射极接地,所述第二双极型晶体管(Q2)的基极依次通过第二电阻(R2)连接外部偏置电压Vbias2,以及在第二电阻(R2)处通过第二电容(C2)接地作为旁路电容,所述第一双极型晶体管(Q1)的集电极和第二双极型晶体管(Q2)的发射极均连接所述级间匹配电路(3)的输入端。

3.根据权利要求1所述的一种基于有源巴伦技术的高输出功率高增益的功率放大器,其特征在于,所述的差分功放电路(4)包括有第三~第十双极型晶体管(Q3~Q10),其中,第四~第六双极型晶体管(Q4~Q6)和第八~第十双极型晶体管(Q8~Q10)的基极分别通过一个电容(C4、C5、C6、C8、C9、C10)接地;所述第三双极型晶体管(Q3)的基极通过第四电阻(R4)连接第四双极型晶体管(Q4)的基极,第四双极型晶体管(Q4)的基极通过第五电阻(R5)连接第五双极型晶体管(Q5)的基极,第五双极型晶体管(Q5)的基极通过第六电阻(R6)连接第六双极型晶体管(Q6)的基极,第三双极型晶体管(Q3)的基极还通过第三电阻(R3)接地,以及通过第十一电容(C11)构成正输入端连接级间匹配电路(3)的正输出端,所述第六双极型晶体管(Q6)的集电极分别通过第七电阻(R7)连接基极,通过第一扼流电感(RF choke1)连接外部电源VCC,以及通过第十二电容(C12)构成正输出端连接所述的输出匹配电路(5)的正输入端;所述第七双极型晶体管(Q7)的基极通过第九电阻(R9)连接第八双极型晶体管(Q8)的基极,第八双极型晶体管(Q8)的基极通过第十电阻(R10)连接第九双极型晶体管(Q9)的基极第九双极型晶体管(Q9)的基极通过第十一电阻(R10)连接第十双极型晶体管(Q10)的基极,第七双极型晶体管(Q7)的基极还通过第八电阻(R8)接地,以及通过第十三电容(C13)构成负输入端连接级间匹配电路(3)的包输出端,所述第十双极型晶体管(Q10)的集电极分别通过第十二电阻(R12)连接基极,通过第二扼流电感(RF choke2)连接外部电源VCC,以及通过第十四电容(C14)构成负输出连接所述的输出匹配电路(5)的负输入端。

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