[发明专利]有机发光二极管装置及其制造方法有效
申请号: | 201811094207.4 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109244268B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 崔婷;涂晓燕;陈花;赵洪宇;陈运金 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管装置,所述有机发光二极管装置包括有机发光二极管元件层和对所述有机发光二极管元件层进行封装的封装层,其特征在于,制成所述封装层的材料包括金属有机框架材料,所述金属有机框架材料的孔洞尺寸不超过0.34nm,
所述有机发光二极管装置还包括保护盖板、粘结件和衬底基板,所述有机发光二极管元件层形成在所述衬底基板上,所述封装层包括有机本体膜和形成在所述有机本体膜表面的分离层,所述分离层的材料包括所述金属有机框架材料,所述粘结件用于将形成有有机发光二极管元件层和封装层的衬底基板与所述保护盖板粘结在一起。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述金属有机框架材料包括有机配体和金属离子通过自组装形成的配位化合物,所述配位化合物中具有不饱和金属位点。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述金属离子选自过渡金属离子和镧系金属离子中的任意一者或任意几者,所述有机配体包括含氧类多元羧酸芳香族配体。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述有机发光二极管装置还包括柔性的衬底基板,所述有机发光二极管元件层设置在所述柔性的衬底基板上。
5.一种有机发光二极管装置的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供具有有机发光二极管元件层的衬底基板;
利用封装材料形成的封装层对所述有机发光二极管元件层进行封装,其中,所述封装材料包括金属有机框架材料,其中,所述金属有机框架材料的孔洞尺寸不超过0.34nm,
利用封装材料对所述有机发光二极管元件层进行封装的步骤包括:
利用金属有机框架材料铸膜液对有机本体膜进行表面杂化,在所述有机本体膜的表面形成分离层,以获得封装层;
利用所述封装层对所述有机发光二极管元件层进行封装;
利用粘结件将形成有有机发光二极管元件层和所述封装层的衬底基板与保护盖板固定粘结。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,利用封装材料对所述有机发光二极管元件层进行封装的步骤包括:
以金属有机框架材料制成的靶材对形成有有机发光二极管元件层的衬底基板进行溅射,以形成封装所述有机发光二极管元件层的封装层。
7.根据权利要求5或6所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括制备金属有机框架材料的步骤,该制备金属有机框架材料的步骤包括:
将有机配体与金属盐溶液混合;
利用溶剂热合成法获得所述金属有机框架材料。
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