[发明专利]背照式CMOS图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，具有相对设置的正面和背面，

介质层，位于所述衬底的正面上；

连线层，嵌设于所述介质层中；

阶梯状开孔，位于所述衬底以及介质层中并位于所述连线层的上方，所述阶梯状开孔暴露所述连线层的部分区域；所述阶梯状开孔包括第一开孔，所述第一开孔贯穿部分厚度的所述衬底；

隔离层，覆盖所述阶梯状开孔的表面且暴露出所述连线层，并延伸覆盖所述衬底的背面的部分区域；焊垫层，位于所述阶梯状开孔中覆盖部分所述隔离层且与所述连线层电连接；所述焊垫层的顶面与所述衬底的背面上的隔离层的顶面之间的高度差的绝对值小于一预设值；所述预设值为1000埃；

接地开孔，所述接地开孔贯穿所述衬底的背面上的部分所述隔离层和所述隔离层下方的部分厚度的所述衬底；

栅格部，所述栅格部位于所述衬底的背面上；以及

滤色层，位于所述栅格部的栅格内；

所述焊垫层与所述第一开孔之间具有间隙，所述背照式CMOS图像传感器还包括第一遮挡部和第二遮挡部，所述第一遮挡部和所述第二遮挡部的材质为金属，且位于同一金属层中；所述第一遮挡部覆盖所述间隙的表面，以防止光串扰；所述第二遮挡部填充所述接地开孔并覆盖部分所述衬底的背面，以防止静电干扰以及电磁干扰。

2.根据权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述阶梯状开孔还包括：

第二开孔，贯穿所述第一开孔底部的衬底以及部分厚度的介质层，所述第二开孔的截面宽度小于所述第一开孔的截面宽度；以及

第三开孔，贯穿所述第二开孔底部的介质层并暴露所述连线层，所述第三开孔的截面宽度小于所述第二开孔的截面宽度。

3.根据权利要求1或2所述的背照式CMOS图像传感器，所述隔离层包括高介电常数介质层及形成于所述高介电常数介质层上的缓冲层。

4.根据权利要求2所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述背照式CMOS图像传感器还包括接地开孔，所述接地开孔贯穿所述衬底的背面的部分所述隔离层和部分厚度的所述衬底。

5.根据权利要求4所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一遮挡部还延伸覆盖所述焊垫的部分区域以及所述衬底的背面的部分区域；所述第二遮挡部、所述第一遮挡部以及所述栅格部间隔分布。

6.一种背照式CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底具有相对设置的正面和背面，所述衬底的正面形成有介质层，所述介质层中嵌设有连线层；

形成阶梯状开孔，所述阶梯状开孔位于所述衬底以及介质层中并位于所述连线层的上方，所述阶梯状开孔暴露所述连线层的部分区域；所述阶梯状开孔包括第一开孔，所述第一开孔贯穿部分厚度的所述衬底；

形成隔离层，所述隔离层覆盖所述阶梯状开孔的表面且暴露出所述连线层，并延伸覆盖所述衬底的背面；

形成焊垫层，所述焊垫层位于所述阶梯状开孔中覆盖部分所述隔离层且与所述连线层电连接；所述焊垫层的顶面与所述衬底的背面上的隔离层的顶面之间的高度差的绝对值小于一预设值；所述预设值为1000埃；

形成接地开孔，所述接地开孔贯穿所述衬底的背面上的部分所述隔离层和所述隔离层下方的部分厚度的所述衬底；

形成栅格部，所述栅格部位于所述衬底的背面上；以及

通过旋转涂覆工艺形成滤色层，所述滤色层位于所述栅格部的栅格内；

其中，所述焊垫层与所述第一开孔之间具有间隙，所述背照式CMOS图像传感器还包括第一遮挡部和第二遮挡部，所述第一遮挡部和所述第二遮挡部的材质为金属，且位于同一金属层中；所述第一遮挡部覆盖所述间隙的表面，以防止光串扰；所述第二遮挡部填充所述接地开孔并覆盖部分所述衬底的背面，以防止静电干扰以及电磁干扰。