[发明专利]一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线

权利要求书

1.一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线，其特征在于：包括Van Atta极化旋转阵列(6)、同轴接头(3)、上下层叠的第一介质基板(4)和第二介质基板(5)，所述第一介质基板(4)的上表面设有辐射单元(1)，所述辐射单元(1)的几何中心与第一介质基板(4)的几何中心重合，所述Van Atta极化旋转阵列(6)将辐射单元(1)包围，所述第二介质基板(5)的几何中心为空心；

所述Van Atta极化旋转阵列(6)由(2n+1)²-1个Van Atta极化旋转子阵列组成，n为包围辐射单元(1)的Van Atta极化旋转子阵列圈数，n为正整数；所述Van Atta极化旋转子阵列为方阵且包括四个阵元和设于第二介质基板(5)下表面的四条微带连接线(8)；

每个阵元包括设于第一介质基板(4)上表面的金属贴片(6111)、设于第一介质基板(4)下表面的金属地板(2)、设于金属地板(2)上的缝隙(9)、设于第二介质基板(5)下表面的微带馈线(10)，每个阵元设有两个相互垂直的微带馈线(10)，每条微带连接线(8)连接一条对角线上两个阵元的微带馈线(10)，各微带连接线(8)不交叉，所述金属贴片(6111)和缝隙(9)与微带馈线(10)位置上下对应，所述同轴接头(3)的内芯连接辐射单元(1)，所述同轴接头(3)的外芯连接金属地板(2)；

所述Van Atta极化旋转阵列(6)由八个Van Atta极化旋转子阵列组成，八个Van Atta极化旋转子阵列沿第一介质基板(4)的几何中心对称设置，中间围成一正方形区域(7)；

所述八个Van Atta极化旋转子阵列由相邻两个Van Atta极化旋转子阵列沿几何中心依次通过90°、180°和270°的顺时针旋转后排列组成，实现了两两Van Atta极化旋转子阵列再辐射出的电磁波极化相反，相位相反，极化相消；其中，相邻两个Van Atta极化旋转子阵中的一个Van Atta极化旋转子阵是通过另一个Van Atta极化旋转子阵水平平移Wr得到。

2.根据权利要求1所述的一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线，其特征在于：所述辐射单元(1)为圆形，直径为d，0.5×λ_ε≤d≤0.6×λ_ε，其中，λ_ε为中心工作频率对应的介质波长。

3.根据权利要求1所述的一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线，其特征在于：所述金属贴片(6111)为长度为L_p、宽度为W_p的矩形贴片，0.35×λ_ε≤L_p≤0.5×λ_ε，0.35×λ_ε≤W_p≤0.5×λ_ε，其中λ_ε为中心工作频率对应的介质波长。

4.根据权利要求1所述的一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线，其特征在于：所述四条微带连接线(8)包括两条第一微带连接线(81)和两条第二微带连接线(82)，所述第一微带连接线(81)和第二微带连接线(82)电长度相差1/2波长。

5.根据权利要求1所述的一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线，其特征在于：所述缝隙(9)为H型、矩形或骨形。

6.根据权利要求1所述的一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线，其特征在于：所述微带馈线(10)为T型或矩形。

7.根据权利要求1所述的一种基于Van Atta阵列极化转换的低RCS微带天线，其特征在于：所述正方形区域(7)的边长为K，0.9×λ₀≤K≤1.4×λ₀，与Van Atta极化旋转子阵列的边长相等，其中λ₀为中心工作频率对应的介质波长。