[发明专利]发光显示器件及其刻蚀方法及显示装置有效
| 申请号： | 201811095936.1 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109338365B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 崔志远 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L51/56;C23F1/12;C23F1/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 显示 器件 及其 刻蚀 方法 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括；
在待刻蚀金属膜层上涂覆光刻胶、曝光并显影；
采用预设刻蚀条件对所述金属层进行刻蚀；
所述预设刻蚀条件包括：刻蚀气体包括流量大于等于100sccm小于等于150sccm的三氯化硼、刻蚀气体包括氩气且氩气的流量小于或等于所述三氯化硼的流量以及偏置电源的功率大于或等于300W小于等于450W中的至少之一的刻蚀条件；
所述预设刻蚀条件还包括：刻蚀压力的范围为3mTorr-8mTorr。
2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，
所述刻蚀气体包括：氯气，所述氯气的流量为所述三氯化硼的流量的1-1.5倍。
3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在待刻蚀金属层上涂覆光刻胶、曝光并显影包括：
在待刻蚀金属层上涂覆光刻胶；
基于掩膜对所述光刻胶进行曝光；
显影以暴露待刻蚀图形和待刻蚀金属膜层边缘无效区域。
4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，
所述预设刻蚀条件还包括：刻蚀温度为60℃-250℃。
5.一种发光显示器件，其特征在于，
所述显示模组的金属膜层采用如权利要求1-4任意一项所述的刻蚀方法制得。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的发光显示器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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