[发明专利]一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法

权利要求书

1.一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法，其特征在于，使用铁掺杂的氧化镓陶瓷靶材，其化学式为Ga_(2-x)Fe_xO₃，0.05≤x≤0.25，通过激光分子束外延方法进行薄膜沉积，之后保持沉积室原有的生长条件，进行原位退火10～60min，获得结晶的β-Ga₂O₃薄膜；其中，进行薄膜沉积时衬底温度为425～575℃，沉积室本底真空为(1～8)×10^-6Pa，通入纯净干燥的氧气后，沉积室的气压为10^-5Pa～10^-1Pa；所述衬底为Si衬底或蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底为c面蓝宝石衬底、m面蓝宝石衬底、r面蓝宝石衬底中的一种。

2.根据权利要求1所述的通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法，其特征在于，所述铁掺杂的氧化镓陶瓷靶材为Ga_1.85Fe_0.15O₃。

3.根据权利要求1所述的通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法，其特征在于，所述蓝宝石衬底为c面蓝宝石衬底。

4.根据权利要求1所述的通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法，其特征在于，激光分子束外延的激光能量为300～600mJ，激光脉冲频率为1～5Hz，激光溅射次数为10000～30000下。

5.根据权利要求1所述的通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法，其特征在于，衬底温度为540～560℃。

6.根据权利要求1所述的通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法，其特征在于，靶材与衬底之间的距离为40～60mm。