[发明专利]一种晶圆抓取装置及控制方法有效
申请号: | 201811096641.6 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109244027B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 赵宁;白富强 | 申请(专利权)人: | 上海新创达智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 冯健强 |
地址: | 201306 上海市浦东新区南汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抓取 装置 控制 方法 | ||
1.一种晶圆抓取装置,其特征在于,晶圆抓取装置包括:
基板,所述基板的第一端连接至机械臂,所述基板上远离所述第一端的第二端设有开口,所述开口的凹陷方向朝所述基板的第一端延伸;
所述开口周围设有若干个吸附机构;所述吸附机构包括至少一个凹槽,所述凹槽的侧壁上设有至少一个出风口;所述基板上还设有吹气机构,所述吹气机构通过通风道与所述吸附机构的出风口连通;
气体自所述吹气机构进入,通过所述通风道传输至所述出风口处,并从所述出风口吹出,在所述凹槽内形成气旋,然后从所述凹槽的侧壁边沿流出,所述气体在所述凹槽内形成的气旋而产生低压,将晶圆吸附于所述晶圆抓取装置上;
所述凹槽为圆形,所述出风口的出风方向与所述凹槽侧壁相切。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆抓取装置,其特征在于:
所述基板上设有晶圆检测装置,所述晶圆检测装置包括第一晶圆检测传感器和第二晶圆检测传感器;
当所述晶圆抓取装置未抓取晶圆时,所述第一晶圆检测传感器和所述第二晶圆检测传感器之间有光信号传播;
当所述晶圆抓取装置靠近晶圆或抓取到晶圆时,所述晶圆阻断所述第一晶圆检测传感器和所述第二晶圆检测传感器之间光信号传播,从而检测晶圆是否被所述抓取装置抓取。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆抓取装置,其特征在于:
所述开口朝所述基板的第一端延伸的延伸末端呈圆弧形;
所述若干个吸附机构延所述开口延伸末端的圆周方向进行均匀排布;
所述吸附机构包括第一类吸附机构和第二类吸附机构;所述第一类吸附机构中产生的气旋呈顺时针方向旋转;所述第二类吸附机构中产生的气旋呈逆时针方向旋转,所述第一类吸附机构和第二类吸附机构间隔排布。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆抓取装置,其特征在于:
所述基板的第二端设有晶圆扫描装置,所述晶圆扫描装置包括第一晶圆扫描传感器和第二晶圆扫描传感器,所述第一晶圆扫描传感器位于所述基板上开口的一侧,所述第二晶圆扫描传感器位于所述基板上开口的另一侧。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆抓取装置,其特征在于:
所述通风道设置于所述基板的内部。
6.一种晶圆抓取装置的控制方法,其特征在于:
晶圆抓取装置包括基板,所述基板的第一端连接至机械臂,所述基板上远离所述第一端的第二端设有开口,所述开口的凹陷方向朝所述基板的第一端延伸;
所述开口周围设有若干个吸附机构;所述吸附机构包括至少一个凹槽,所述凹槽的侧壁上设有至少一个出风口;所述基板上还设有吹气机构,所述吹气机构通过通风道与所述吸附机构的出风口连通;
所述凹槽为圆形,所述出风口的出风方向与所述凹槽侧壁相切;
所述晶圆抓取装置抓取晶圆时执行步骤:
S1所述晶圆抓取装置接收控制信号;
S2所述晶圆抓取装置根据所述控制信号移动到晶圆的放置区域;
S3所述晶圆抓取装置开启吹气机构,使所述吹气机构吹入气体,气体自所述吹气机构吹入后,通过所述通风道传输至所述出风口处,并从所述出风口吹出,在所述凹槽内形成气旋,使所述凹槽内产生低压,将所述晶圆吸附于所述晶圆抓取装置上。
7.根据权利要求6所述的一种晶圆抓取装置的控制方法,其特征在于:
所述基板上设有晶圆检测装置,所述晶圆检测装置包括第一晶圆检测传感器和第二晶圆检测传感器;
当所述晶圆抓取装置未抓取晶圆时,所述第一晶圆检测传感器和所述第二晶圆检测传感器之间有光信号传播;
当所述晶圆抓取装置靠近晶圆或抓取到晶圆时,所述晶圆阻断所述第一晶圆检测传感器和所述第二晶圆检测传感器之间光信号传播,从而检测晶圆;
步骤S2具体包括:
S21所述晶圆抓取装置根据所述控制信号向晶圆的放置区域移动,当所述晶圆检测装置中所述第一晶圆检测传感器和所述第二晶圆检测传感器之间的光信号被阻断时,判断出所述晶圆检测装置移动到晶圆的放置区域处,所述晶圆抓取装置停止移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造