[发明专利]一种端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法在审
| 申请号： | 201811097717.7 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110922980A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 黄晓;康庄;胡娟;刘钰;黄曦;陈法兵;姜志炜 | 申请（专利权）人： | 江苏和成新材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K19/20 | 分类号： | C09K19/20;C09K19/30 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 杨海军 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氟代烷氧基 液晶 材料 提纯 方法 | ||
1.一种端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)向待提纯的液晶材料中添加吸附剂，混合均匀；
(2)将混有吸附剂的液晶材料投入离子膜提纯器中，施加外加电场，吸附0.5～3h，收集提纯后的液晶材料；
所述吸附剂选自活性氧化铝、活性炭、硅胶、沸石中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，其特征在于，所述外加电场是交流电场。
3.根据权利要求1所述的端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，其特征在于，所述吸附剂的孔径为1～10nm，吸附剂的比表面积为500～1000m2/g。
4.根据权利要求1所述的端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，其特征在于，所述的吸附剂与液晶材料的质量比1:5～1:20。
5.根据权利要求1所述的端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，其特征在于，所述液晶材料在外加电场下的吸附时间为1～1.5h。
6.根据权利要求2所述的端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，其特征在于，所述提纯器选自单一离子膜提纯器、双槽离子膜提纯器、三槽离子膜提纯器中的一种。
7.根据权利要求2所述的端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，其特征在于，所述提纯器的离子膜为均相阴、阳离子交换膜，电极为网式贵金属氧化物涂层电极。
8.根据权利要求1或2所述的端基为氟代烷氧基的液晶材料的提纯方法，其特征在于，所述电场强度为1kV/cm～10kV/cm，电极间距为20～50mm。
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