[发明专利]一种高沸点联苯类液晶材料的后处理纯化方法在审
| 申请号： | 201811097720.9 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110922288A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 黄晓;康庄;胡娟;刘钰;黄曦;陈法兵;姜志炜 | 申请（专利权）人： | 江苏和成新材料有限公司 |
| 主分类号： | C07C7/12 | 分类号： | C07C7/12;C07C15/14;C07C15/50;C09K19/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 杨海军 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沸点 联苯 液晶 材料 处理 纯化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高沸点联苯类液晶材料的后处理提纯方法，其特征在于，包括如下步骤：将高沸点联苯类粗品用四根或四根以上层析柱进行柱层析分离，收集产品；
所述四根或四根以上层析柱的固定相为硅胶、氧化铝、活性炭和硅酸铝中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的高沸点联苯类液晶材料的后处理提纯方法，其特征在于，所述流动相包括组分A和组分B，其中组分A选自甲醇，异丙醇，乙酸乙酯中的一种或多种，组分B选自石油醚，正己烷，异戊烷中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的高沸点联苯类液晶材料的后处理提纯方法，其特征在于，所述组分A与组分B的体积比为1:5～1:10。
4.根据权利要求1～3任一所述的高沸点联苯类液晶材料的后处理提纯方法，其特征在于，所述柱层析所述柱层析分离过程需施加压力。
5.根据权利要求1～3任一所述的高沸点联苯类液晶材料的后处理提纯方法，其特征在于，所述加压的压力为0.3～0.5Mpa。
6.根据权利要求1～3任一所述的高沸点联苯类液晶材料的后处理提纯方法，其特征在于，所述层析柱的径高比为1：5～1：15。
7.根据权利要求1～3任一所述的高沸点联苯类液晶材料的后处理提纯方法，其特征在于，所述层析柱之间的连接方式为串联。
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