[发明专利]研磨装置

说明书

提供研磨装置，使研磨液遍布于研磨垫，并且即使是较薄的晶片，也防止边缘碎裂的产生而良好地对晶片进行研磨。研磨装置的研磨垫含有研磨磨粒，并且在与支承基台粘贴的粘贴面上形成有多个槽，研磨垫具有连通至平坦的研磨面的多个连通孔，研磨液遍布于多个槽，通过多个连通孔而提供至研磨面。在研磨垫中，在粘贴面上形成有多个槽，在研磨面上未形成槽，因此能够利用平坦的研磨面对晶片进行研磨。不存在槽侧面与研磨面之间的角形部碰撞晶片的情况，因此能够防止在晶片的外周边缘产生缺损。

技术领域

本发明涉及对晶片进行研磨的研磨装置。

背景技术

在半导体器件制造工序中，沿着间隔道对形成有多个器件的半导体晶片进行分割，从而形成半导体器件。为了实现半导体器件的小型化和轻量化，在对半导体晶片进行分割之前，对半导体晶片的背面进行磨削。当这样对半导体晶片进行磨削时，在半导体晶片的背面上生成包含微裂纹的1μm左右的磨削应变层。当半导体晶片的厚度薄至100μm以下时，存在下述问题：该磨削应变层会导致半导体器件的抗弯强度降低。

为了克服这样的问题，在将半导体晶片磨削至规定的厚度之后，对半导体晶片的背面实施抛光加工、湿蚀刻加工、干蚀刻加工等，将在半导体晶片的背面生成的磨削应变层去除，从而防止半导体器件的抗弯强度的降低。

另一方面，在形成有多个像DRAM或闪速存储器等那样具有存储器功能的器件的半导体晶片中，存在下述问题：当将磨削应变层去除时，存储器功能会降低。据认为这是因为，当将半导体晶片背面的磨削应变层去除时，去疵效果消失，半导体晶片的内部所含有的铜等金属离子浮置于形成有器件的正面侧，从而产生电流泄漏。

为了克服这样的问题，提出了一种研磨垫，其用于在半导体晶片的背面上形成厚度为0.2μm以下的包含微裂纹的去疵层(例如，参照专利文献1)。专利文献1的研磨垫是使液态结合材料浸渗于无纺布而构成的，该液态结合材料中混入有诱发与硅的固相反应的固相反应微粒(研磨用磨粒)以及莫氏硬度比硅高的去疵层形成微粒(去疵用磨粒)。

在将半导体晶片磨削至规定的厚度之后，一边提供碱溶液一边利用该研磨垫对半导体晶片的背面进行研磨。由此，研磨垫的固相反应微粒发挥作用，将残留在半导体晶片的背面的磨削磨具所致的磨削应变层去除。然后，一边提供纯水一边利用该研磨垫对半导体晶片的背面进行研磨。由此，去疵层形成微粒发挥作用，在半导体晶片的背面形成略微的划伤，形成去疵层。利用去疵层抑制半导体器件的抗弯强度的降低，制造具有去疵效果的半导体器件。

专利文献1：日本特开2015-46550号公报

这里，通常在研磨垫中在对半导体晶片进行研磨的研磨面上形成有多个槽。当对半导体晶片进行研磨时，提供至研磨垫的碱溶液或纯水通过该多个槽而遍布于整个研磨面。在该状态下，旋转的研磨垫与半导体晶片旋转接触，从而对半导体晶片进行研磨。但是，槽侧面与研磨面之间的角形状的角形部反复碰撞半导体晶片的外周边缘，从而对外周边缘施加负荷，在较薄的半导体晶片的情况下，有时产生边缘碎裂。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的之一在于提供研磨装置，能够使研磨液遍布于研磨垫，并且即使是较薄的晶片也能够防止边缘碎裂的产生而良好地对晶片进行研磨。

本发明的一个方式的研磨装置对晶片进行研磨，其中，研磨装置具有：卡盘工作台，其在上表面上对晶片进行保持；以及研磨单元，其对卡盘工作台所保持的晶片进行研磨，研磨单元具有：旋转主轴；安装座，其固定于旋转主轴的前端；以及研磨工具，其装卸自如地安装于安装座，研磨工具具有：圆环状的支承基台，其在中央具有提供孔，提供孔与研磨液提供单元连通并且供研磨液通过；以及研磨垫，其粘贴于支承基台的支承面上，研磨垫含有研磨磨粒，并且在与支承面粘贴的粘贴面上形成有多个槽，研磨垫具有从粘贴面连通至与粘贴面相反的面即平坦的研磨面的多个连通孔，从提供孔提供的研磨液遍布于多个槽，并通过多个连通孔而提供至研磨面。