[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成开关薄膜晶体管前驱体以及驱动薄膜晶体管前驱体，所述开关薄膜晶体管前驱体以及所述驱动薄膜晶体管前驱体均包括依次层叠设置的半导体层、栅极绝缘材料层以及栅极金属层；

在所述开关薄膜晶体管前驱体以及所述驱动薄膜晶体管前驱体上方形成光刻胶层，并基于所述光刻胶层形成刻蚀掩膜版，所述开关薄膜晶体管前驱体处的所述刻蚀掩膜版，与所述驱动薄膜晶体管前驱体处的所述刻蚀掩膜版的形状不相同；

基于所述刻蚀掩膜版，对所述开关薄膜晶体管前驱体以及驱动薄膜晶体管前驱体进行刻蚀处理，以形成开关薄膜晶体管以及驱动薄膜晶体管，形成的所述开关薄膜晶体管的有源层的线宽大于所述驱动薄膜晶体管的有源层的线宽，

所述刻蚀掩膜版是基于半色调掩膜曝光技术而形成的，所述开关薄膜晶体管前驱体处的所述刻蚀掩膜版的厚度，大于所述驱动薄膜晶体管前驱体处的所述刻蚀掩膜版的厚度，所述开关薄膜晶体管前驱体处的所述刻蚀掩膜版的坡度角，大于所述驱动薄膜晶体管前驱体处的所述刻蚀掩膜版的坡度角，

基于所述刻蚀掩膜版，对所述栅极金属层进行湿法刻蚀，以便形成所述开关薄膜晶体管的栅极以及所述驱动薄膜晶体管的栅极；

基于所述刻蚀掩膜版，对所述栅极绝缘材料层进行干法刻蚀，以便形成所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层以及所述驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀处理还包括：

对沟道区以外的区域的所述半导体层进行导体化，以便形成所述开关薄膜晶体管的所述有源层和连接线，以及所述驱动薄膜晶体管的所述有源层和所述连接线。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开关薄膜晶体管前驱体处的所述刻蚀掩膜版的厚度为1.8～2.0微米，坡度角≥70度；所述驱动薄膜晶体管前驱体处的所述刻蚀掩膜版的厚度为1.0～1.2微米，坡度角≥30度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的所述栅极绝缘层的线宽大于所述驱动薄膜晶体管的所述栅极绝缘层的线宽。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述干法刻蚀的气体为CF₄以及O₂的混合气体；

其中，

所述CF₄的气体流量为2200～1800sccm，所述O₂的气体流量为1000～1400sccm；

所述混合气体中所述O₂的比例为30％～40％。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述开关薄膜晶体管前驱体以及所述驱动薄膜晶体管前驱体包括：

在所述衬底上形成所述半导体层；

在所述半导体层远离所述衬底的一侧形成所述栅极绝缘材料层；

在所述栅极绝缘材料层远离所述半导体层的一侧形成所述栅极金属层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述半导体层之前，形成所述开关薄膜晶体管前驱体以及所述驱动薄膜晶体管前驱体进一步包括：

在所述衬底上形成遮光金属层并图案化，以便形成所述开关薄膜晶体管前驱体的遮光层以及所述驱动薄膜晶体管前驱体的遮光层；

在所述开关薄膜晶体管前驱体的所述遮光层以及所述驱动薄膜晶体管前驱体的所述遮光层远离所述衬底的一侧形成缓冲层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述刻蚀处理之后，进一步包括：

去除所述刻蚀掩膜版；

在所述开关薄膜晶体管的所述栅极以及所述驱动薄膜晶体管的所述栅极远离所述衬底的一侧，形成层间介质层；

在所述层间介质层远离所述衬底的一侧，形成所述开关薄膜晶体管的源漏电极，以及所述驱动薄膜晶体管的源漏电极；

在所述开关薄膜晶体管的所述源漏电极以及所述驱动薄膜晶体管的所述源漏电极远离所述衬底的一侧形成钝化层。