[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811098549.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109360873A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;郭炳磊;王群;乔楠;张武斌;吕蒙普;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多量子阱层 沉积 外延片 衬底 制备 发光二极管技术 空穴 阻挡 未掺杂GaN层 电子空穴 复合发光 量子阱 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
顺次在所述衬底上沉积GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型AlGaN层和多量子阱层；
在所述多量子阱层上沉积P型电子阻挡层，所述P型电子阻挡层包括顺次层叠在所述多量子阱层上的AlN层和InN层；
在所述P型电子阻挡层上沉积P型GaN层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述多量子阱层上沉积P型电子阻挡层，包括：
在所述多量子阱层上沉积所述AlN层，所述AlN层的生长压力为50～100Torr；
在所述AlN层上沉积所述InN层，所述InN层的生长压力为200～400Torr。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述AlN层的生长温度为850～1080℃，所述InN层的生长温度为750～900℃。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述AlN层的厚度为1～10nm，所述InN层的厚度为2～50nm。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述P型电子阻挡层的厚度为10～60nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AlN层和所述InN层中均掺杂Mg，Mg掺杂浓度为2×1017～2×1018cm-3。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其特征在于，所述多量子阱层包括若干层叠的量子阱垒层和第一InGaN层，所述量子阱垒层包括第二InGaN层和GaN层，所述第一InGaN层与所述AlN层接触。
8.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括：衬底、顺次在所述衬底上沉积GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型GaN层，所述P型电子阻挡层包括顺次层叠在所述多量子阱层上的AlN层和InN层。
9.根据权利要求8所述的外延片，其特征在于，所述AlN层为低压AlN层。
10.根据权利要求8所述的外延片，其特征在于，所述InN层为低温InN层。
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