[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201811098835.X | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109326696B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;韦春余;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长AlN层；
在所述AlN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长有源层；
在所述有源层上生长P型GaN层，
其特征在于，在所述衬底上生长AlN层，包括：
将所述衬底放入磁控溅射设备中；
对所述衬底进行3～5次溅射，在所述衬底上形成AlN层，3～5次溅射时所述磁控溅射设备的溅射功率逐渐递减，3～5次溅射时所述磁控溅射设备的溅射功率为等差数列，3～5次溅射时两次相邻的溅射过程中所述磁控溅射设备的溅射功率的差值均为300～500W，3～5次溅射的总时长为40～60s，所述AlN层的厚度为15～40nm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，多次溅射时所述磁控溅射设备的溅射功率在3000～5000W。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每次溅射的时长相等。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，每次溅射的时长为15～25s。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述AlN层上生长N型GaN层之前，将所述衬底放置在金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD设备中；
向MOCVD设备中通入氢气，对所述AlN层进行10～15min的热处理。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为900～1100℃。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述AlN层的生长压力为4～10mTorr。
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