[发明专利]一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法

权利要求书

1.一种蚀刻液组合物，其特征在于：所述的蚀刻液组合主要为硝酸铈铵、氢氟酸、十八烷基三甲基氯化铵、2—氧乙酸基丁导酸和水的混合物。

2.根据权利要求1所述的一种蚀刻液组合物，其特征在于：所述硝酸铈铵的质量百分比浓度为5-25%，所述氢氟酸的质量百分比浓度为1-20%，所述十八烷基三甲基氯化铵的质量百分比浓度为0.1-5%，所述2—氧乙酸基丁导酸的质量百分比浓度为0.5-10%,所述余量为水。

3.根据权利要求1或2所述的一种蚀刻液组合物，其特征在于：所述硝酸铈铵的质量百分比优选浓度为10-20%；所述氢氟酸的质量百分比优选浓度为5-10%；所述十八烷基三甲基氯化铵的质量百分比优选浓度为0.5-2%；所述2—氧乙酸基丁导酸的质量百分比优选浓度为2-5%；所述水为去离子水。

4.根据权利要求1或2所述的一种蚀刻液组合物，其特征在于：制备镍铬硅薄膜蚀刻液方法如下，将原料硝酸铈铵、氢氟酸、十八烷基三甲基氯化铵、2—氧乙酸基丁导酸和水按比例充分的搅拌混匀后，经0.1μm的过滤器过滤，即可获得镍铬硅薄膜蚀刻液。

5.一种利用权利要求1所述蚀刻液组合物进行镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：方法步骤如下，

步骤一 选择光刻胶；

步骤二 将基片在清洗剂中清洗并在热板上烘干；

步骤三 用旋转涂敷法涂覆光刻胶；

步骤四 基片放于热板上前烘；

步骤五 然后在紫外光源下曝光；

步骤六 在显影液中显影；

步骤七 将基片放于热板上后烤；

步骤八 刻蚀镍铬硅薄膜；

将蚀刻液组合物混匀后，经0.1μm过滤器过滤形成镍铬硅薄膜蚀刻液，将镍铬硅薄膜蚀刻液在40~45℃进行蚀刻，蚀刻时间为70S；

步骤九 用专用剥膜液去除光刻胶；

步骤十 以纯水冲洗后，用过滤空气将基片吹干。

6.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤一中，光刻胶选用苏州瑞红RZJ系列正性光刻胶，型号为RZJ-304、RZJ-306型。

7.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤二中，清洗时，将基片在清洗剂中超声清洗 2~3 min，用去离子水洗净，然后将基板放于在热板上，在100℃温度下烘烤 1~2 min。

8.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤三中，进行涂覆时，光刻胶膜厚控制在1.0~3.0um。

9.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤五中，进行紫外光源曝光时，控制曝光功率40~45mj/cm²,曝光时间10~15S。

10.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤六中，进行显影时，在显影液中显影20~30S，显影后用去离子水冲洗，用过滤空气吹干。