[发明专利]一种薄膜传感器及其制备方法

说明书

本申请公开了一种薄膜传感器及其制备方法，用以提升薄膜传感器的性能。本申请实施例提供的一种薄膜传感器，所述薄膜传感器包括：第一基板、第二基板、以及将所述第一基板和所述第二基板贴合的导电部件；所述第一基板包括：薄膜晶体管，所述第二基板包括：传感器件，所述薄膜晶体管与所述传感器件通过所述导电部件电连接。

技术领域

本申请涉及传感器技术领域，尤其涉及一种薄膜传感器及其制备方法。

背景技术

现有技术中，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和传感元件(sensingelement)组成的薄膜传感器的制备是在形成有TFT的基底之上进行sensing element制备，以sensing element为PIN器件为例，形成有TFT的基底的材质和平整性影响PIN器件各膜层的成膜质量，当TFT基地电路结构复杂时，会导致PIN各膜层所在位置的下方凹凸不平，造成PIN成膜质量变差，如晶界密度大，薄膜均匀性差等，从而引起光电转换效率降低；并且，sensing element制作过程中的温度、刻蚀等工序会对TFT的特性产生影响，表现为TFT漏电流升高，TFT的阈值电压漂移等，例如，PIN沉积过程中产生的氢，会渗入TFT沟道中，产生掺杂效应，引起漏电流升高和阈值电压负漂，影响TFT的可靠性以及工作稳定性。综上，现有技术中TFT和sensing element组成的薄膜传感器的制备方法对TFT和sensing element的性能均有影响，从而影响薄膜传感器的性能。

发明内容

本申请实施例提供了一种薄膜传感器及其制备方法，用以提升薄膜传感器的性能。

本申请实施例提供的一种薄膜传感器，所述薄膜传感器包括：第一基板、第二基板、以及将所述第一基板和所述第二基板贴合的导电部件；所述第一基板包括：薄膜晶体管，所述第二基板包括：传感器件，所述薄膜晶体管与所述传感器件通过所述导电部件电连接。

本申请实施例提供的薄膜传感器，由于第一基板和第二基板通过导电部件贴合，从而包括薄膜晶体管阵列的第一基板与包括传感器件的第二基板可以独立制作，即薄膜晶体管与传感器件独立设置，再通过导电部件贴合实现电连接，进而可以避免在薄膜晶体管之上直接制备传感器件的工艺对TFT膜层的破坏，避免影响TFT的工作稳定性和可靠性。并且，还可以避免在TFT之上直接制备传感器件由于传感器件下方凹凸不平造成的传感器件成膜质量较差。即本申请实施例提供的薄膜传感器可以保证TFT和传感器件同时保持较佳的性能，可以提升薄膜传感器的性能。

可选地，所述导电部件为导电油墨或导电胶。

可选地，所述导电部件为所述导电油墨，所述传感器件包括：第一电极、位于所述第一电极面向所述第一基板一侧的功能材料层、以及位于所述功能材料层面向所述第一基板一侧的第二电极；所述第二电极复用所述导电油墨；

所述第一基板还包括：位于所述薄膜晶体管面向所述第二基板一侧的绝缘层，所述绝缘层具有露出所述薄膜晶体管的源极或漏极的过孔，所述导电油墨与所述绝缘层贴合使得贴合后的导电油墨延伸至所述过孔与所述源极或漏极相连。可选地，所述导电部件为导电胶，所述传感器件包括：第一电极、位于所述第一电极面向所述第一基板一侧的功能材料层、以及位于所述功能材料层面向所述第一基板一侧的第二电极；所述第一基板还包括：位于所述薄膜晶体管面向所述第二基板一侧的绝缘层、以及所述绝缘层面向所述第二基板一侧的第三电极，所述绝缘层具有露出所述薄膜晶体管的源极或漏极的过孔，所述第三电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管源极或漏极电连接，所述第三电极与所述第二电极通过所述导电胶贴合。

可选地，所述导电胶为异方性导电胶。

可选地，所述薄膜传感器还包括遮光层，所述遮光层在垂直于所述第一基板的方向上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区；所述遮光层位于所述第二基板与所述导电部件之间，或者，所述遮光层位于所述第一基板与所述导电部件之间。

本申请实施例提供的一种薄膜传感器制备方法，该方法包括：