[发明专利]一种适用于碳化硅半导体的高温加热炉体在审
| 申请号： | 201811099470.2 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109341343A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王学仕;邓斌;万喜新;杨金;陈庆广 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | F27B17/00 | 分类号： | F27B17/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;徐好 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离罩 反应管 炉膛 碳化硅半导体 炉壳 连通 高温加热炉体 工艺气体出口 工艺气体进口 密封件 炉壳内壁 洁净度 隔离 | ||
1.一种适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，包括炉壳(1)，炉壳(1)内设有炉膛(11)，其特征在于：所述炉膛(11)底部设有反应管(2)、以及用于隔离反应管(2)和所述炉膛(11)的隔离罩(3)，所述隔离罩(3)底部与所述炉壳(1)内壁之间设有隔离罩密封件(4)，所述炉壳(1)底部设有工艺气体进口(12)和工艺气体出口(13)，所述工艺气体进口(12)与所述反应管(2)连通，所述反应管(2)与所述隔离罩(3)连通，所述工艺气体出口(13)位于所述隔离罩密封件(4)下方并与所述隔离罩(3)连通。
2.根据权利要求1所述的适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，其特征在于：所述反应管(2)上端敞开并与所述隔离罩(3)顶部具有间隙，所述反应管(2)外壁与所述隔离罩(3)内壁之间具有间隙，所述工艺气体出口(13)设于所述反应管(2)外壁与所述隔离罩(3)内壁之间的间隙处。
3.根据权利要求2所述的适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，其特征在于：所述隔离罩(3)与所述反应管(2)同轴布置，所述炉膛(11)顶部吊装有加热器(5)，所述加热器(5)位于所述隔离罩(3)外周。
4.根据权利要求1所述的适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，其特征在于：所述反应管(2)上设置有通孔，所述反应管(2)外壁与所述隔离罩(3)内壁之间具有间隙，所述工艺气体出口(13)设于所述反应管(2)外壁与所述隔离罩(3)内壁之间的间隙处。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，其特征在于：所述炉壳(1)包括侧炉壁(14)、上炉盖(15)、以及下炉盖(16)，所述下炉盖(16)下方设有工件托板(6)且两者之间设有工件托板密封件(63)，所述侧炉壁(14)和所述上炉盖(15)均配置有保温层(17)，所述工件托板(6)上方依次设有保温座(61)和工件支架(62)，所述下炉盖(16)位于所述保温座(61)外周，所述隔离罩(3)、所述反应管(2)以及所述工艺气体出口(13)位于所述下炉盖(16)上，所述保温座(61)和工件支架(62)位于所述反应管(2)内，所述工艺气体进口(12)贯穿所述工件托板(6)和保温座(61)。
6.根据权利要求5所述的适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，其特征在于：所述侧炉壁(14)下部设有上斜面(141)，所述下炉盖(16)上部设有下斜面(161)，所述上斜面(141)和所述下斜面(161)构成V型凹槽，所述隔离罩密封件(4)位于所述隔离罩(3)外壁和所述V型凹槽之间。
7.根据权利要求5所述的适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，其特征在于：所述侧炉壁(14)上设有与所述炉膛(11)连通的保护气体进口(142)和保护气体出口(143)。
8.根据权利要求5所述的适用于碳化硅半导体的高温加热炉体，其特征在于：所述侧炉壁(14)的上部、侧炉壁(14)的下部以及上炉盖(15)上均设有用于测量所述炉膛(11)内温度的测温接口(7)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所，未经中国电子科技集团公司第四十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811099470.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中频炉循环水监测系统、方法及中频炉
- 下一篇：硅碳负极材料专用炉
