[发明专利]石墨烯量子点掺杂氧化镓晶体材料及其制备方法有效
申请号: | 201811100425.4 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN109183151B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 沈荣存 | 申请(专利权)人: | 江苏穿越光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B15/34;H01S3/16 |
代理公司: | 深圳市洪荒之力专利代理有限公司 44541 | 代理人: | 刘真 |
地址: | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 量子 掺杂 氧化 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
1.石墨烯量子点掺杂氧化镓晶体材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:将丙醇锆溶解于其5~10倍质量的乙醇中,搅拌下加入体积比为3:2的乙酰丙酮/水混合溶剂,室温下静置老化2~3天,制得涂层凝胶,所述乙醇和乙酰丙酮/水混合溶剂的体积比为25~40:1;
步骤2:将石墨烯量子点加入步骤1所得涂层凝胶中,搅拌均匀后,60℃干燥8~24h;
步骤3:重复步骤2 3~5次,500℃下烘烤30min,制得氧化锆涂层涂覆的石墨烯量子点;
步骤4:将步骤3所得氧化锆涂层涂覆的石墨烯量子点、纯度大于99.999%的氧化镓粉末加入乙醇中,超声分散均匀,蒸除溶剂,成型,烧结,得到石墨烯量子点掺杂陶瓷靶,所述石墨烯量子点质量为氧化镓粉末质量的0.005%~0.03%;
步骤5:将烧结好的石墨烯量子点掺杂陶瓷靶放入生长炉的铱金坩埚中,以纯的β-Ga2O3晶体作为生长用的籽晶,生长方向平行于(100)解理面;
步骤6:生长炉抽低真空至炉压10Pa后,充入Ar气,1380~1420℃加热并恒温0.5~0.8h,再充入CO2气体,继续升温至1800~1900℃,使多晶陶瓷原料完全熔化并沿模具狭缝上升至模具顶端,恒温;
步骤7:将籽晶浸入模具上端熔体,待籽晶与熔体充分熔接后,依次进行引晶缩颈、放肩、等径生长的晶体生长过程;
步骤8:晶体生长结束后,脱模、退火冷却,即得。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤1中丙醇锆与乙醇的质量比为1:8,乙醇和乙酰丙酮/水混合溶剂的体积比为30:1。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤2中所述石墨烯量子点由以下方法制备得到:将单层氧化石墨烯加入质量百分比浓度为10%的聚乙烯醇水溶液中制得浓度为2mg/mL~10mg/mL的氧化石墨烯分散液,加入0.1~0.5倍单层氧化石墨烯质量的具有六方晶体结构的氧化锌和3~5倍单层氧化石墨烯质量的聚甲基吡咯烷酮,分散均匀后,160℃~300℃下水热反应0.5h~2h,用1~2mol/L盐酸调节pH至2~3,0.22μm~0.8μm的微孔滤膜过滤,用10%~25%的氨水调节滤液的pH值至7~8,0.22μm~0.8μm的微孔滤膜过滤,乙酸乙酯或二氯甲烷萃取,蒸除溶剂,所述氧化锌的的粒径为5nm~30nm。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤2中干燥时间为8~12h。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤4中烧结的工艺条件为空气气氛下,1500~1700℃恒温15~20h。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤7中所述的放肩提拉速率由3.5mm/h逐渐增加至8mm/h,等径生长提拉速率为8mm/h。
7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤8中退火冷却的操作为晶体脱模后,先恒温1~2h后,进行原位退火,再在15~20h内冷却至室温。
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