[发明专利]一种测量各向同性扭曲高斯谢尔模光束扭曲因子的方法及系统有效
| 申请号： | 201811100495.X | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN108871569B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘琳;王海云;王飞;蔡阳健 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 冯瑞;杨慧林 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测量 各向同性 扭曲 高斯谢尔模 光束 因子 方法 系统 | ||
1.一种测量各向同性扭曲高斯谢尔模光束扭曲因子的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、获取所述各向同性扭曲高斯谢尔模光束的初始光强分布图；
S2、获取所述各向同性扭曲高斯谢尔模光束经过第一像散光学系统后，在所述第一像散光学系统后焦面上形成的第一光强分布图；
S3、对所述第一光强分布图拟合分析，得到所述第一光强分布图在相互垂直的第一方向和第二方向上的光强二阶矩V1和V2；
S4、获取所述各向同性扭曲高斯谢尔模光束经过第二像散光学系统后，在所述第二像散光学系统后焦面上形成的第二光强分布图，
其中，所述第二像散光学系统由所述第一像散光学系统旋转得到；
S5、对所述第二光强分布图拟合分析，得到所述第二光强分布图在所述第一方向和所述第二方向上的光强二阶矩V1'和V2'；
S6、对所述初始光强分布图拟合分析，得到所述初始光强分布图在所述第一方向或所述第二方向上的光强二阶矩V0；
S7、计算扭曲因子其中，f表示所述第一像散光学系统的焦距。
2.根据权利要求1所述的测量各向同性扭曲高斯谢尔模光束扭曲因子的方法，其特征在于：所述第一像散光学系统包括柱面透镜，所述柱面透镜与各向同性扭曲高斯谢尔模光束发射源同轴设置。
3.根据权利要求2所述的测量各向同性扭曲高斯谢尔模光束扭曲因子的方法，其特征在于：
所述各向同性扭曲高斯谢尔模光束经过位于第一位置的所述柱面透镜时，在所述柱面透镜的后焦面处形成所述第一光强分布图；
所述各向同性扭曲高斯谢尔模光束经过位于第二位置的所述柱面透镜时，在所述柱面透镜的后焦面处形成所述第二光强分布图；
其中，所述第二位置由所述第一位置绕所述柱面透镜的轴心旋转得到。
4.根据权利要求1所述的测量各向同性扭曲高斯谢尔模光束扭曲因子的方法，其特征在于：所述第一光强分布图和所述第二光强分布图均为归一化光强分布图。
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