[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201811100533.1 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN110111832B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 洪龙焕;金炳烈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/14 分类号: G11C29/14;G11C29/18;G11C29/26;G11C29/44
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括:

存储器单元阵列,该存储器单元阵列包括多个存储块;

读/写电路,该读/写电路被配置为对所述存储器单元阵列的所选页执行读/写操作;

地址解码器,该地址解码器被配置为存储关于所述多个存储块中的每一个的坏块标记数据,并且响应于地址信号而输出所述坏块标记数据;以及

控制逻辑,该控制逻辑被配置为控制所述读/写电路测试所述多个存储块中是否发生了缺陷,并且控制所述地址解码器存储表示所述多个存储块中是否发生了缺陷的测试结果作为所述坏块标记数据,

其中,所述地址解码器包括多个坏块锁存器,

所述坏块锁存器中的每个坏块锁存器对应于所述多个存储块中的相应存储块,

所述多个坏块锁存器中的坏块锁存器存储指示与所述坏块锁存器相对应的存储块是正常块还是坏块的位数据,并且

所述地址解码器输出所述多个坏块锁存器的位数据作为所述坏块标记数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,所述存储器单元阵列包括各自包括至少一个存储块的修复区域和主区域。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置,其中,所述控制逻辑通过收集所述坏块标记数据来生成坏块信息,并且基于所述坏块信息来生成修复映射信息。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置,其中,所述存储器单元阵列包括额外区域,所述额外区域包括至少一个存储块,

其中,所述控制逻辑控制所述读/写电路将所述坏块信息和所述修复映射信息中的至少一个编程在所述额外区域的存储块中。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置,其中,所述控制逻辑控制所述读/写电路将所述坏块信息和所述修复映射信息中的至少一个备份到所述主区域的存储块中。

6.一种操作包括多个存储块和多个坏块锁存器的半导体存储器装置的方法,所述坏块锁存器中的每个坏块锁存器对应于所述多个存储块中的相应存储块,该方法包括以下步骤:

对所述多个存储块中的每一个执行坏块标记;

基于所述坏块标记的结果来生成坏块信息;

基于所述坏块信息来生成修复映射信息;以及

将所述坏块信息和所述修复映射信息中的至少一个编程在所述多个存储块中的至少一个中,

其中,执行所述坏块标记的步骤包括以下步骤:

检测所述多个存储块当中的所选存储块中是否发生了缺陷;以及

基于通过检测所述所选存储块中是否发生了缺陷而获得的结果,更新所述多个坏块锁存器当中的与所述所选存储块对应的坏块锁存器的数据,并且

其中,所述坏块锁存器的所述数据指示对应的存储块是正常块还是坏块。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述坏块锁存器被包括在所述半导体存储器装置的地址解码器中。

8.根据权利要求6所述的方法,其中,在生成所述坏块信息的步骤中,通过收集存储在所述坏块锁存器中的数据来生成所述坏块信息。

9.根据权利要求6所述的方法,其中,所述多个存储块被区分以属于修复区域、额外区域和主区域中的任一个,

其中,在生成所述修复映射信息的步骤中,通过将属于所述额外区域和所述主区域的多个存储块当中的具有缺陷的至少一个存储块映射到属于所述修复区域的存储块来生成所述修复映射信息。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,生成所述修复映射信息的步骤包括以下步骤:

生成关于属于所述额外区域的存储块的修复映射信息;以及

生成关于属于所述主区域的存储块的修复映射信息。

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