[发明专利]微机电泵

权利要求书

1.一种微机电泵，其特征在于，包含：

一第一基板，通过半导体制程制出且通过薄化制程制出具有一第一厚度，并通过光刻蚀刻制出形成具有至少一进气孔；

一第一氧化层，通过半导体制程制出而叠置该第一基板上，并通过光刻蚀刻制程制出形成具有至少一进气流道及一汇流腔室，该进气流道的一端与该汇流腔室相通，另一端与该进气孔相通；

一第二基板，通过半导体制程制出且通过薄化制程制出具有一第二厚度，而叠置于该第一氧化层上，并通过光刻蚀刻制出形成具有一穿孔，该穿孔与该第一基板的该进气孔错位，且该穿孔与该第一氧化层的该汇流腔室相通；

一第二氧化层，通过溅镀半导体制程制出，而叠置于该第二基板上，并通过光刻蚀刻制程制出形成中心凹陷的一气体腔室；

一第三基板，通过半导体制程制出且通过薄化制程制出具有一第三厚度，而叠置于该第二氧化层上，并通过光刻蚀刻制出形成具有多个气体通道，该气体通道与该第二基板的该穿孔错位，而该第二氧化层的该气体腔室分别与该第二基板的该穿孔及该第三基板的该气体通道相通；以及

一压电组件，通过半导体制程制出而生成叠置于该第三基板上。

2.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第一基板、第二基板及第三基板皆通过长晶制程的半导体制程制出的硅芯片。

3.如权利要求2所述的微机电泵，其特征在于，该硅芯片为一多晶硅芯片。

4.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该薄化制程为一研磨制程制出。

5.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该薄化制程为一蚀刻制程制出。

6.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该薄化制程为一切割制程制出。

7.权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该压电组件由一薄膜沉积制程的半导体制程制出。

8.权利要求7所述的微机电泵，其特征在于，该薄膜沉积制程为一物理气相沉积制程。

9.权利要求7所述的微机电泵，其特征在于，该薄膜沉积制程为一化学气相沉积制程。

10.权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该压电组件由溶胶凝胶法制程的半导体制程制出。

11.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该压电组件更包含：

一下电极层；

一压电层，叠置于该下电极层；

一绝缘层，覆盖于该压电层的部分表面及该下电极层的部分表面；

以及

一上电极层，叠置于该绝缘层及该压电层未设有绝缘层的其余表面，用以与该压电层电性连接。

12.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第一基板的该进气孔呈锥形。

13.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第一厚度介于150至200微米之间。

14.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第二厚度介于2至5微米之间。

15.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第三厚度介于10～20微米之间。

16.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第一厚度大于该第三厚度，该第三厚度大于该第二厚度。

17.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第一氧化层的厚度界于10至20微米之间。

18.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第二氧化层的厚度介于0.5至2微米之间。

19.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度。