[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

将一基板置入一沉积腔室，该基板包括一层间介电层；

沉积一第一层于该层间介电层上；

图案化一开口于该第一层中，以暴露出该层间介电层；

沉积一氧化物层于该第一层上，其中该氧化物层的一第一区覆盖该开口暴露的该层间介电层，且沉积该氧化物层包括：

使一第一前驱物材料流入该沉积腔室；

在该沉积腔室中，自该第一前驱物材料形成该氧化物层的一部分；

点火一第二前驱物材料成一等离子体，且该第二前驱物材料不含氧的同素异形体；和

在该沉积腔室中，自该等离子体形成该氧化物层的一部分；

移除该第一层；以及

在移除该第一层之后，进行一研磨制程，以将该氧化物层平坦化。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括以该氧化物层的该第一区作为蚀刻遮罩蚀刻该层间介电层。

3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中蚀刻该层间介电层以在该层间介电层中形成一凹陷，且还包括在该凹陷中沉积一导电材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第一层包括光刻胶或聚合物材料。

5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中沉积该氧化物层的工艺温度小于200℃。

6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第二前驱物材料不含气态氧。

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第二前驱物材料包含二氧化碳。

8.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该氧化物层包括硅、碳、或上述的组合。

9.一种半导体装置的形成方法，包括：

沉积一介电层于一基板上；

对该介电层进行一第一图案化步骤，以形成一第一凹陷于该介电层中；

沉积一遮罩层，以覆盖该介电层中的该第一凹陷；

对该遮罩层进行一第二图案化以形成一第二凹陷，以暴露出该介电层和该第一凹陷；

沉积一氧化物膜于该遮罩层上与该第二凹陷中，且该氧化物膜接触该第二凹陷暴露的该介电层并延伸至该第二凹陷暴露的该第一凹陷中，其中该氧化物膜由多个前驱物形成，其中所述多个前驱物不含氧气，且其中沉积该氧化物膜的步骤包含形成所述多个前驱物的一第一前驱物的等离子体；以及

移除该遮罩层，其中在移除该遮罩层之后，该氧化物膜接触该介电层的顶表面并留在该第二凹陷中。

10.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，还包括在移除该遮罩层之前，对该氧化物膜进行一第一平坦化工艺。

11.如权利要求10所述的半导体装置的形成方法，还包括在移除该遮罩层之后，对该氧化物膜进行一第二平坦化工艺。

12.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中该第二平坦化工艺使该氧化物膜的上表面与该介电层的上表面齐平。

13.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其中该遮罩层为光刻胶材料或聚合物材料。

14.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其中该氧化物膜包括硅、碳、氮、或上述的组合。

15.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其中所述多个前驱物的该第一前驱物为一氧化二氮。