[发明专利]基板处理装置、反应管、半导体装置的制造方法及程序

说明书

本发明提供抑制在构成反应管的外管与内管的间隙可能生成的副生成物的技术。基板处理装置具备：反应管，具有筒状的内管及以包围内管的方式设置的筒状的外管；基板保持件，收纳于内管，上下保持多个基板；气体喷嘴，沿上下方向设置于外管及内管之间的间隙，从在上下形成有多个的供给孔向开设于内管的流入口供给气体而在基板形成膜；流出口，形成于内管，流出供给至内管的气体；排出口，形成于外管，向反应管的外侧排出从流出口流出的气体；排出单元，使滞留于间隙的气体从排出口排出；以及控制部，控制为从气体喷嘴供给原料气体及惰性气体而在基板形成膜，从排出口排出反应管内的环境空气的同时，从气体喷嘴供给惰性气体，并将滞留于间隙的气体排出。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、反应管、半导体装置的制造方法及程序。

背景技术

作为基板处理装置的一例，已知具有半导体制造装置，作为半导体制造装置的一例，已知立式装置。

这种基板处理装置构成为，具有作为将晶片以保持多层的状态收纳于反应管内的基板保持部件的舟皿，且将保持于舟皿的晶片在反应管内的处理室处理。

在专利文献1示出了将分批处理的多个晶片用舟皿保持的结构，通过向插入有晶片的反应管同时供给两种以上的原料气体，从而在晶片上形成膜。

另外，在专利文献2中，将盖加热器设置于石英筒中，从晶片下方补充热能，从而能够缩短升温时间，并且吹扫气体不会对晶片区域产生影响。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/041376号

专利文献2：美国专利申请公开第2017/0037512号

发明内容

发明所要解决的课题

在将反应管做成双重构造的基板处理装置中，气体容易滞留于构成反应管的外管与内管的间隙。若气体滞留于该间隙，则副生成物堆积，成为颗粒的原因。

本发明的目的在于提供抑制在构成反应管的外管与内管的间隙可能生成的副生成物的产生的技术。

用于解决课题的方案

根据本发明第一方案的基板处理装置，其特征在于，具备：反应管，其具有筒状的内管及以包围该内管的方式设置的筒状的外管；基板保持件，其收纳于上述内管，且上下保持多个基板；气体喷嘴，其沿上下方向设置于上述外管及上述内管之间的间隙，且从在上下形成有多个的供给孔向开设于上述内管的流入口供给气体，从而在上述基板形成膜；流出口，其形成于上述内管，且流出供给至该内管的气体；排出口，其形成于上述外管，且向上述反应管的外侧排出从上述流出口流出的气体；排出单元，其使滞留于上述间隙的气体从上述排出口排出；以及控制部，其控制为从上述气体喷嘴供给原料气体及惰性气体而在上述基板形成膜，从上述排出口排出上述反应管内的环境空气的同时，从上述气体喷嘴供给惰性气体，并将滞留于上述间隙的气体排出。

发明的效果

根据本发明，能够提供抑制在构成反应管的外管与内管的间隙可能生成的副生成物的产生的技术。

附图说明

图1是第一实施方式的基板处理装置的概略结构图。

图2是表示第一实施方式的基板处理装置的立式处理炉的横剖视图。

图3是第一实施方式的基板处理装置的立式处理炉的立体剖视图。

图4是第一实施方式的基板处理装置的立式处理炉的纵剖视图。

图5是将第一实施方式的基板处理装置的立式处理炉的上部放大后的剖视图。

图6是表示第一实施方式的基板处理装置的块图。