[发明专利]一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置在审
| 申请号： | 201811103811.9 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110931465A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 孙帅;李金元;潘艳;陈中圆 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 抑制 压接型 igbt 器件 时间 振荡 装置 | ||
1.一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置，其特征在于，所述装置包括：
发射极极板(1)、PCB板(5)、集电极极板(7)和软磁材料(3)；
所述PCB板(5)通过软磁材料(3)与所述发射极极板(1)连接后进行封装；
所述发射极极板(1)与集电极极板(7)相连接。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述发射极极板设有IGBT芯片发射极凸台(2)和FRD芯片阳极凸台(4)；
其中，所述IGBT芯片发射极凸台(2)中设有IGBT芯片；所述FRD芯片阳极凸台设有FRD芯片(4)；
所述PCB板与所述IGBT芯片发射极凸台(2)或FRD芯片阳极凸台(4)对应的位置上设有矩形孔，所述PCB板通过所述矩形孔套入所述IGBT芯片发射极凸台(2)。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述PCB板与所述软磁材料(3)相接触的另一侧设有金属走线。
4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述软磁材料包括磁环；所述磁环具有矩形框结构，所述矩形框的内框边长与所述IGBT芯片发射极凸台(2)的边框相配合；
所述PCB板没有金属走线的一侧具有与所述磁环边框相配合的凹槽，所述磁环嵌入所述凹槽。
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述磁环的数量与发射极极板上IGBT芯片发射极凸台(2)和FRD芯片阳极凸台(4)的总数量一致。
6.如权利要求2所述一种具有抑制压接型IGBT器件渡越时间振荡的装置，其特征在于，所述软磁材料还包括磁片；
所述磁片上设置有矩形孔，所述磁片上的矩形孔与所述PCB板上的矩形孔相对应。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述磁片设置于所述PCB板与所述发射极极板之间。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述IGBT芯片发射极凸台(2)或FRD芯片阳极凸台(4)同时穿过软磁材料的孔和PCB板上的孔。
9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述软磁材料包括按质量百分比计的下述成分制得：
含碳量低于0.04％，含硅量0.5％～4.8％，含铝6％～16％，镍含量30％～90％，钴含量27％～50％。
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