[发明专利]在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法

权利要求书

1.一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：制备卤化物钙钛矿薄膜；

步骤2：在所述卤化物钙钛矿薄膜表面形成一派瑞林薄膜；

步骤3：在所述派瑞林薄膜表面形成一光刻胶薄膜；

步骤4：利用光刻工艺将所述光刻胶薄膜制作成具有微纳结构图形的掩膜；

步骤5：刻蚀所述派瑞林薄膜至卤化物钙钛矿薄膜表面停止，将所述掩膜上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上；

步骤6：将一金属薄膜沉积到所述卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶薄膜表面；

步骤7：将光刻胶及其表面的金属薄膜剥离得到形成于所述卤化物钙钛矿薄膜表面的金属微纳结构。

2.如权利要求1所述的在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，其特征在于，所述步骤1中，所述卤化物钙钛矿薄膜为有机无机杂化的或者全无机的钙钛矿材料，通过旋涂的方法在衬底表面制备得到，薄膜厚度为10nm～1000nm。

3.如权利要求1所述的在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，其特征在于，所述步骤2中，所述派瑞林薄膜是通过物理气相沉积的方法制备，薄膜厚度为10nm～1000nm。

4.如权利要求1所述的在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，其特征在于，所述步骤3中，所述光刻胶薄膜为使用正胶或负胶通过旋涂法进行制作。

5.如权利要求1所述的在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，其特征在于，所述步骤4中，所述光刻工艺包括涂胶、前烘、曝光、后烘和显影，将光刻板上的微纳结构图形转移至光刻胶薄膜上，并露出光刻板定义的需要暴露的派瑞林薄膜。

6.如权利要求1所述的在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，其特征在于，所述步骤5中，利用氧等离子体刻蚀无光刻胶覆盖而暴露的派瑞林薄膜，刻蚀速率通过调节氧等离子体功率来控制，从而将光刻胶上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上。

7.如权利要求1所述的在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，其特征在于，所述步骤6中，利用蒸发或溅射工艺在所述卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶表面沉积一层金属薄膜，薄膜厚度10nm～500nm。

8.如权利要求1所述的在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，其特征在于，所述步骤7中，使用丙酮将光刻胶溶解，以便光刻胶表面的金属薄膜被剥离，保留卤化物钙钛矿表面接触的金属微纳结构，从而完成在卤化物钙钛矿表面制备出金属微纳结构。

9.一种卤化物钙钛矿光电器件芯片，其特征在于，包括：

衬底；

卤化物钙钛矿薄膜，形成于衬底表面；以及

金属微纳结构，利用如权利要求1至8任意一项所述的方法形成于所述卤化物钙钛矿薄膜的表面。