[发明专利]多阈值电压器件以及相关联的技术和结构有效
| 申请号： | 201811104694.8 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109378342B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | J·M·施泰格瓦尔德;T·加尼;J·胡;I·R·C·波斯特 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阈值 电压 器件 以及 相关 技术 结构 | ||
1.一种集成电路结构，包括：
第一N型鳍状FET器件，包括具有第一电极材料层的第一栅电极，所述第一电极材料层具有成分，并且所述第一电极材料层具有第一厚度；
第二N型鳍状FET器件，包括具有第二电极材料层的第二栅电极，所述第二电极材料层具有所述成分，并且所述第二电极材料层具有大于所述第一厚度的第二厚度；以及
第一P型鳍状FET器件，包括具有第三电极材料层的第三栅电极，所述第三电极材料层具有所述成分，并且所述第三电极材料层具有与所述第一厚度相同的第三厚度，
其中，所述第一栅电极还包括位于所述第一电极材料层上方的第四电极材料层，且所述第三栅电极还包括位于所述第三电极材料层上方的第五电极材料层，所述第四电极材料层具有与所述第五电极材料层的成分不同的成分。
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述第二厚度是所述第一厚度的约两倍。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述第一电极材料层具有U形，其中所述第二电极材料层具有U形，并且其中所述第三电极材料层具有U形。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述第一厚度为约5埃。
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中所述第二厚度为约10埃。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述第二厚度为约10埃。
7.一种计算设备，包括：
板；以及
耦合到所述板的组件，所述组件包括集成电路结构，所述集成电路结构包括：
第一N型鳍状FET器件，包括具有第一电极材料层的第一栅电极，所述第一电极材料层具有成分，并且所述第一电极材料层具有第一厚度；
第二N型鳍状FET器件，包括具有第二电极材料层的第二栅电极，所述第二电极材料层具有所述成分，并且所述第二电极材料层具有大于所述第一厚度的第二厚度；以及
第一P型鳍状FET器件，包括具有第三电极材料层的第三栅电极，所述第三电极材料层具有所述成分，并且所述第三电极材料层具有与所述第一厚度相同的第三厚度，
其中，所述第一栅电极还包括位于所述第一电极材料层上方的第四电极材料层，且所述第三栅电极还包括位于所述第三电极材料层上方的第五电极材料层，所述第四电极材料层具有与所述第五电极材料层的成分不同的成分。
8.根据权利要求7所述的计算设备，还包括：
耦合到所述板的存储器。
9.根据权利要求7所述的计算设备，还包括：
耦合到所述板的通信芯片。
10.根据权利要求7所述的计算设备，还包括：
耦合到所述板的相机。
11.根据权利要求7所述的计算设备，还包括：
耦合到所述板的电池。
12.根据权利要求7所述的计算设备，还包括：
耦合到所述板的天线。
13.根据权利要求7所述的计算设备，其中，所述组件选自由处理器和通信芯片组成的组。
14.根据权利要求7所述的计算设备，其中，所述计算设备选自由移动电话、膝上型计算机、台式计算机、服务器、以及机顶盒组成的组。
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