[发明专利]一种OLED显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811106557.8 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109273495B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 张鹏 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 张俊杰 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,包括阵列基板,其特征在于,所述阵列基板上设置有:
环绕所述阵列基板的显示区域设置的第一挡墙;
及,环绕所述第一挡墙设置的第二挡墙,位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间的间隙区域处,所述阵列基板裸露有多条外电极线,所述外电极线为出光方向上依次叠加的第一金属层和第二金属层叠层结构,且所述第一金属层的金属活性大于所述第二金属层的金属活性;
其中,至少一条外电极线的至少一侧边缘区域上设置有一外保护膜层,所述外保护膜层覆盖所述外电极线的相应侧的至少部分边缘线,且所述外保护膜层的制程不超过所述OLED显示面板的阳极制程;
位于所述第一挡墙范围内,所述阵列基板包括平坦化层,且位于所述平坦化层与所述第一挡墙之间的间隙区域处,所述阵列基板裸露有多条内电极线,所述内电极线与所述外电极线材质相同;其中,至少一条内电极线的至少一侧边缘区域上设置有一内保护膜层,所述内保护膜层覆盖所述内电极线的相应侧的至少部分边缘线,且所述内保护膜层的制程不超过所述OLED显示面板的阳极制程;
所述外保护膜层覆盖所述外电极线的相应侧的全部边缘线;和/或,所述内保护膜层覆盖所述内电极线的相应侧的全部边缘线;
所述外保护膜层相对所述第一挡墙的端部和/或相对所述第二挡墙的端部,还延伸覆盖至相对挡墙朝向所述外电极线的侧面;和/或,所述内保护膜层相对所述平坦化层的端部还延伸覆盖至所述平坦化层朝向所述内电极线的侧面,和/或所述内保护膜层相对所述第一挡墙的端部还延伸覆盖至所述第一挡墙朝向所述内电极线的侧面。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述外保护膜层延伸至挡墙的侧面的长度不小于10微米;
和/或,所述内保护膜层延伸至所述第一挡墙的侧面,及所述内保护膜层延伸至所述平坦化层的侧面的长度不小于10微米。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述外保护膜层包括多个子外保护膜层,其中,所述多个子外保护膜层沿所述外电极线的相应侧的边缘线的延伸方向排列;
和/或,所述内保护膜层包括多个子内保护膜层,其中,所述多个子内保护膜层沿所述内电极线的相应侧的边缘线的延伸方向排列。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述外保护膜层复用制作所述述OLED显示面板的阳极的导电层;
和/或,所述内保护膜层复用制作所述述OLED显示面板的阳极的导电层。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,在所述内电极线和所述外电极线相连为主电极线时,所述主电极线对应的外保护膜层和内保护膜层的相对端部接触为主保护膜层,且所述外保护膜层和所述内保护膜层的连接处位于所述第一挡墙朝向所述阵列基板一侧。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述外保护膜层位于所述外电极线的边缘线以内部分和/或以外部分,在垂直所述外电极线的边缘线的方向上的宽度不小于10微米;
和/或,所述内保护膜层位于所述内电极线的边缘线以内部分和/或以外部分,在垂直所述内电极线的边缘线的方向上的宽度不小于10微米。
7.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述外电极线还包括位于第一金属层背离所述第二金属层一侧的第三金属层,其中,所述第一金属层的金属活性大于所述第三金属层的金属活性。
8.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述外电极线复用制作所述阵列基板的源极和漏极的导电层。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~8任意一项所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的