[发明专利]一种双层永磁复合磁路记忆电机

权利要求书

1.一种双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，包括混合永磁转子、定子、电枢绕组和转轴，所述电枢绕组设置在定子上，所述定子设置在混合永磁转子外部，所述混合永磁转子包括转子铁心，所述转子铁心设置于所述转轴外部，所述转子铁心的周向均布有若干双层永磁区，所述双层永磁区包括U型混合永磁结构和V型永磁结构，所述U型混合永磁结构中由第二高矫顽力永磁体构成U型的两侧，由低矫顽力永磁体构成U型的底部，所述第二高矫顽力永磁体与低矫顽力永磁体构成并联型磁路，所述U型混合永磁结构的开口朝向所述定子，所述V型永磁结构设置于所述U型混合永磁结构的开口内，所述V型永磁结构由第一高矫顽力永磁体构成所述V型的两侧，所述第一高矫顽力永磁体与低矫顽力永磁体构成串联型磁路，所述V型永磁结构的开口朝向所述定子。

2.根据权利要求1所述的双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，相邻的所述双层永磁区之间的转子铁心与所述定子之间设有第一空气隙。

3.根据权利要求1所述的双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，所述双层永磁区内相邻的所述第二高矫顽力永磁体和第一高矫顽力永磁体之间设有第二空气隙，所述第二空气隙由所述U型的底部向所述定子延伸。

4.根据权利要求1所述的双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，所述双层永磁区内第二高矫顽力永磁体和低矫顽力永磁体之间设有第三空气隙。

5.根据权利要求1所述的双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，所述双层永磁区内所述低矫顽力永磁体设有两个，相邻的所述低矫顽力永磁体之间设有第四空气隙。

6.根据权利要求1所述的双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，所述U型混合永磁结构和V型永磁结构具有同一对称轴。

7.根据权利要求1所述的双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，所述第一高矫顽力永磁体和第二高矫顽力永磁体的充磁方向均为转子铁心圆周的切向，所述低矫顽力永磁体的充磁方向为转子铁心圆周的径向，U型混合永磁结构的两侧的第二高矫顽力永磁体的充磁方向相反，V型永磁结构的两侧的第一高矫顽力永磁体的充磁方向相反，双层永磁区内相邻的第二高矫顽力永磁体和第一高矫顽力的充磁方向相同。

8.根据权利要求1所述的双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，相邻所述双层永磁区之间相邻的第二高矫顽力永磁体的充磁方向相同。

9.根据权利要求1所述的双层永磁复合磁路记忆电机，其特征在于，所述双层永磁区设有偶数个。