[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201811107330.5 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110943031B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李华;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底、第一介电层和第二介电层的堆叠结构，所述堆叠结构具有沟槽；
可流动电介质填充满所述沟槽；及
对所述可流动电介质的进行高温离子注入处理，所述高温离子的温度为400～500℃；
所述高温气体离子注入的剂量沿所述沟槽的开口向底部方向逐渐增加。
2.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供具有沟槽的基底；
在所述沟槽的内表面形成氧化层；
在所述沟槽的所述氧化层的表面形成内衬层；
形成可流动电介质在所述内衬层的表面，所述可流动电介质填充满所述沟槽；及
对所述可流动电介质进行高温离子注入处理，所述高温离子的温度为400～500℃；
所述高温气体离子注入的剂量沿所述沟槽的开口向底部方向逐渐增加。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述可流动电介质包含Si-H和Si-N键。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述可流动电介质包含聚硅氮烷。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述离子是He或H离子。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述高温离子注入的条件为:注入能量1～80KeV、注入剂量1×1013～1×1016ion/cm2。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，从所述沟槽顶部至所述沟槽总深度30％处的可流动电介质的注入剂量为总剂量的5～25％、从所述沟槽底部至所述沟槽总深度30％处的可流动电介质的注入剂量为总剂量的50～70％、剩余部分的可流动电介质的注入剂量为总剂量的15～35％。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述基底为硅、硅、锗、锗化硅、碳化硅和砷化镓中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一介电层所述第二介质层包括氮化硅、二氧化硅及氮氧化硅中的一种或多种。
10.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述内衬层为氮化硅。
11.一种半导体器件，其特征在于，由权利要求1-10任一方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
