[发明专利]光纤组分分析方法在审
申请号: | 201811107553.1 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109187611A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 高聪;张立华;李好;代江云;刘念;姜蕾;贺红磊;吕嘉坤;欧光亮;林傲祥;王建军;景峰 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G01N23/2252 | 分类号: | G01N23/2252 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王文红 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光纤 待测光纤 组分分析 特征X射线 固定块 光纤端 波长 电子束 电子束作用 导电胶带 分光晶体 光纤表面 光纤端面 有效手段 分析 表面镀 导电层 导电膜 导电 光洁 沉积 预设 轰击 切割 装载 激发 | ||
1.一种光纤组分分析方法,其特征在于,包括:
对待测光纤进行切割,以获得完整光洁的光纤端面;
通过导电胶带将所述待测光纤固定在固定块上,所述固定块可导电;
在所述待测光纤的表面镀一层导电膜;
向所述光纤端面的待测部位轰击电子束;
通过预设分光晶体分离所述待测光纤在电子束作用下激发的不同波长的特征X射线;
根据所述特征X射线的波长分析所述待测光纤中所述待测部位所含元素的种类,从而确定所述待测光纤的组分。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光纤端面与所述固定块的顶部齐平,所述导电胶带的顶部与所述光纤端面齐平。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在根据所述特征X射线的波长分析所述待测光纤中所述待测部位所含元素的种类之后,所述方法还包括:
根据所述待测部位所含元素的种类选择相应的标准样品,所述标准样品为已知组分浓度的样品;
测量不同元素对应的标准样品在电子束作用下激发的特征X射线的强度。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在根据所述特征X射线的波长分析所述待测光纤中所述待测部位所含元素的种类之后,所述方法还包括:
测量所述待测光纤中不同元素的特征X射线的强度;
将所述待测光纤不同元素的特征X射线的强度与对应的标准样品的特征X射线的强度进行对比,获得所述待测光纤中所述待测部位所含元素的浓度。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在获得所述待测光纤中所述待测部位所含元素的浓度之后,所述方法还包括:
根据所述待测部位所含元素的浓度,确定所述待测光纤的组分浓度。
6.根据权利要求3-5任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述待测部位所含元素的种类选择相应的标准样品,包括:
在元素的种类为稀土元素时,标准样品为稀土五磷酸盐,使用的分光晶体为LIFH;
在元素的种类为铝Al时,标准样品为刚玉,使用的分光晶体为TAP;
在元素的种类为磷P时,标准样品为磷灰石,使用的分光晶体为PETJ;
在元素的种类为硅Si时,标准样品为石英,使用的分光晶体为TAP;
在元素的种类为氟F时,标准样品为黄玉,使用的分光晶体为LED1;
在元素的种类为锗Ge时,标准样品为锗酸铋,使用的分光晶体为TAP。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在测量所述待测光纤中不同元素的特征X射线的强度之后,所述方法还包括:
通过ZAF氧化物校正法对所述待测光纤以及所述标准样品之间的差异进行校正。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在确定所述待测光纤的组分浓度之后,所述方法还包括:
测量所述光纤端面上多个待测部位在电子束作用下激发的特征X射线的强度,所述多个待测部位中第i点在所述光纤端面上的半径为其中,(x0,y0)为所述光纤端面的圆心坐标,(xi,yi)为第i点的平面坐标;
根据所述多个待测部位的测量结果,绘制所述待测光纤中各组分浓度随半径r的变化曲线。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述固定块为铜块。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述导电膜包括碳膜、金膜。
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