[发明专利]一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201811107608.9 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109560127A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 庄秉翰;蔡文必;孙希国;王江;魏鸿基;梁玉玉 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 磷化铟 蚀刻 发射极层 湿法腐蚀 双极结构 双异质结 剥离层 基极层 外延片 制作 晶体管 穿孔 集极 试片 表面生长 衬底分离 工艺搭配 芯片结构 缓冲层 金属面 生长 晶圆 开孔 贴合 制备 瓶颈 | ||
1.一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，其特征在于包括如下步骤：
1)外延片制备:以磷化铟作为生长衬底，在磷化铟的表面生长缓冲层A、剥离层、发射极层、基极层、集极层；
2)准备一硬度高于磷化铟的永久性衬底；将备制好永久性衬底和外延片相互贴合形成试片；
3)在永久性衬底的表面通过蚀刻穿孔工艺蚀刻永久性衬底、集极层、基极层、发射极层；
4)通过开孔对剥离层进行湿法腐蚀，使得磷化铟生长衬底与试片分离；
5)在永久性衬底上完成DHBT芯片结构的制作。
2.根据权利要求1所述的一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，其特征在于：所述永久性衬底的材料包括但不限于硅、碳化硅、钻石、类钻石、石墨、氮化铝、镍金属、铜金属中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，其特征在于：所述剥离层和发射极层之间还生长有缓冲层B。
4.根据权利要求1所述的一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，其特征在于：所述蚀刻穿孔工艺形成的开孔，其形状为圆形、十字形、六边形、矩形、矩阵形、菱形、三角形、四角形、五角形、锯齿状、梯形、椭圆形、环形中的一种。
5.一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，其特征在于包括如下步骤：
1)外延片制备:以磷化铟作为生长衬底，在磷化铟的表面生长缓冲层A、剥离层、DHBT外延结构层；
2)在磷化铟生长衬底上完成DHBT芯片结构的制作；
3)准备一硬度高于磷化铟的永久性衬底；将备制好永久性衬底和外延片相互贴合形成试片；
4)在永久性衬底的表面通过蚀刻穿孔工艺蚀刻永久性衬底、DHBT芯片；
5)通过开孔对剥离层进行湿法腐蚀，使得磷化铟生长衬底与试片分离。
6.根据权利要求5所述的一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，其特征在于：所述剥离层和DHBT外延结构层之间还生长有缓冲层B。
7.根据权利要求5所述的一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，其特征在于：所述蚀刻穿孔工艺形成的开孔，其形状为圆形、十字形、六边形、矩形、矩阵形、菱形、三角形、四角形、五角形、锯齿状、梯形、椭圆形、环形中的一种。
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