[发明专利]加热处理装置和加热处理方法在审
申请号: | 201811107656.8 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109545709A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 岩坂英昭;水永耕市;林田贵大 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理空间 供气 闸门构件 晶圆 加热处理装置 加热处理 闸门 排气量减少 水平层流 侧面部 流量比 上端部 升华物 下端部 载置台 基板 热板 排气 加热 停滞 | ||
1.一种加热处理装置,其是对形成有涂敷膜的基板进行加热的加热处理装置,其特征在于,
该加热处理装置具有:
载置台,其载置所述基板;
加热机构,其对载置到所述载置台的基板进行加热;
上面部,其位于所述载置台的上方,并覆盖所述载置台;以及
侧面部,其包围所述载置台,该侧面部位于所述载置台的外周,
由所述载置台、所述上面部、所述侧面部形成热处理空间,
在所述上面部的中央设置有对所述热处理空间内的气氛进行排气的排气部,
该加热处理装置具有第1气体供给口和第2气体供给口,该第1气体供给口和该第2气体供给口沿着所述侧面部的周向设置,并向所述热处理空间供给气体,
所述第1气体供给口的高度位置与载置到所述载置台的基板的高度位置相同,所述第2气体供给口的高度位置是比所述第1气体供给口的高度位置高的位置,从所述第1气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量比从所述第2气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量多。
2.根据权利要求1所述的加热处理装置,其特征在于,
从所述第1气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量与从所述第2气体供给口向所述热处理空间供给的气体的流量之比是9:1~6:4。
3.根据权利要求1或2所述的加热处理装置,其特征在于,
所述侧面部由上下运动自由的闸门构件构成。
4.根据权利要求3所述的加热处理装置,其特征在于,
在所述基板的加热时,所述闸门构件上升,利用所述闸门构件的上端部与所述上面部之间的间隙形成所述第2气体供给口。
5.根据权利要求3所述的加热处理装置,其特征在于,
所述闸门构件具有一体化的外侧闸门和内侧闸门,所述第1气体供给口通向在外侧闸门与内侧闸门之间形成的流路。
6.根据权利要求5所述的加热处理装置,其特征在于,
所述外侧闸门具有空心构造。
7.一种加热处理装置,其是对形成有涂敷膜的基板进行加热的加热处理装置,其特征在于,
该加热处理装置具有:
载置台,其载置所述基板;
加热机构,其对载置到所述载置台的基板进行加热;
上面部,其位于所述载置台的上方,并覆盖所述载置台;以及
侧面部,其包围所述载置台,该侧面部位于所述载置台的外周,
由所述载置台、所述上面部、所述侧面部形成热处理空间,
在所述上面部的中央设置有对所述热处理空间内的气氛进行排气的排气部,
该加热处理装置具有第1气体供给口和第2气体供给口,该第1气体供给口和该第2气体供给口沿着所述侧面部的周向设置,并向所述热处理空间供给气体,
所述第1气体供给口的高度位置与载置到所述载置台的基板的高度位置相同,所述第2气体供给口的高度位置是比所述第1气体供给口的高度位置高的位置,所述第1气体供给口比所述第2气体供给口大。
8.根据权利要求7所述的加热处理装置,其特征在于,
所述第1气体供给口的大小与所述第2气体供给口的大小之比是9:1~6:4。
9.根据权利要求7或8所述的加热处理装置,其特征在于,
所述侧面部由上下运动自由的闸门构件构成。
10.根据权利要求9所述的加热处理装置,其特征在于,
在所述基板的加热时,所述闸门构件上升,利用所述闸门构件的上端部与所述上面部之间的间隙形成所述第2气体供给口。
11.根据权利要求9所述的加热处理装置,其特征在于,
所述闸门构件具有一体化的外侧闸门和内侧闸门,所述第1气体供给口通向在外侧闸门与内侧闸门之间形成的流路。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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