[发明专利]清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体

权利要求书

1.一种清洁沉积反应腔室的方法，包括：

进行一等离子体辅助清洁工艺，以清洁在该沉积反应腔室的一内表面所形成的多个管道沉积物，其中该等离子体辅助清洁工艺包括：

将一第一反应气体通过一承载管线以及一输入阀而提供到一远端等离子体源以产生一等离子体，其中该等离子体包括一含氟自由基；和

将该等离子体从该远端等离子体源提供到该沉积反应腔室，以清洁所述管道沉积物；以及

在进行该等离子体辅助清洁工艺后，关闭该输入阀，并通过该承载管线以及一旁通阀将一第二反应气体提供到该沉积反应腔室，以进行一化学清洁工艺，

其中该等离子体辅助清洁工艺是在一第一温度下进行，且该化学清洁工艺是在一第二温度下进行，其中该第一温度小于该第二温度。

2.如权利要求1所述的清洁沉积反应腔室的方法，其中该沉积反应腔室包括石英或碳化硅。

3.如权利要求1所述的清洁沉积反应腔室的方法，其中所述管道沉积物包括硅或含硅化合物。

4.如权利要求1所述的清洁沉积反应腔室的方法，其中该第一反应气体包括择自氟原子及三氟化氮所构成族群中的其中一者。

5.如权利要求4所述的清洁沉积反应腔室的方法，其中该第一反应气体还包括氩气。

6.如权利要求1所述的清洁沉积反应腔室的方法，还包括：

决定从该等离子体辅助清洁工艺切换到该化学清洁工艺的一时间，其中该决定的步骤包括：

从该沉积反应腔室获得一废气；

分析该废气；

计算该废气中的一半导体材料浓度；以及

决定该半导体材料浓度是否等于或小于一预定阈值。

7.如权利要求6所述的清洁沉积反应腔室的方法，其中分析该废气的步骤是通过耦接到该沉积反应腔室的一排气管线的一在线气体分析仪所进行。

8.如权利要求1所述的清洁沉积反应腔室的方法，其中该等离子体辅助清洁工艺是在一第一压力下进行，且该化学清洁工艺是在一第二压力下进行，其中该第一压力与该第二压力不同。

9.一种干式清洁系统，包括：

一气体传输系统，配置成提供一第一反应气体以及一第二反应气体；

一承载管线，连接到该气体传输系统；

一输入阀，连接到该承载管线；

一半导体工艺设备，耦接到该气体传输系统；

一远端等离子体系统，通过该承载管线以及该输入阀连接到该气体传输系统，且配置成接收该第一反应气体，将该第一反应气体转换为一等离子体，且将该等离子体传递到该半导体工艺设备；

一旁通阀，连接到该承载管线，其中该第二反应气体通过该承载管线以及该旁通阀提供到该半导体工艺设备；

一气体分析仪，连接到该半导体工艺设备，且配置成分析来自该半导体工艺设备的一废气；

一控制电脑，连接到且配置成控制该气体传输系统、该半导体工艺设备、该远端等离子体系统、及该气体分析仪，其中该控制电脑控制该远端等离子体系统以将该等离子体提供到该半导体工艺设备，且随后根据该气体分析仪的一输出，控制该气体传输系统以将该第一反应气体或该第二反应气体提供到该半导体工艺设备，其中该控制电脑进一步配置成：

配置该气体传输系统及该半导体工艺设备，以建立用以进行一等离子体辅助清洁工艺的一第二温度及一第二压力；以及

配置该气体传输系统及该半导体工艺设备，以建立用以进行一化学清洁工艺的一第三温度及一第三压力，其中该第三温度大于该第二温度。

10.如权利要求9所述的干式清洁系统，其中该气体传输系统系进一步配置成将包括硅的该第一反应气体或该第二反应气体提供到该半导体工艺设备。

11.如权利要求9所述的干式清洁系统，其中该气体分析仪是傅立叶转换红外光谱仪。